Datasheet.kr   

FES8BT 데이터시트 PDF




General Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FES8BT은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 FES8BT 자료 제공

부품번호 FES8BT 기능
기능 FAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER
제조업체 General Semiconductor
로고 General Semiconductor 로고


FES8BT 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 2 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

FES8BT 데이터시트, 핀배열, 회로
FES8AT THRU FES8JT
FAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER
Reverse Voltage - 50 to 600 Volts Forward Current - 8.0 Amperes
TO-220AC
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.415 (10.54) MAX.
0.370 (9.40)
0.360 (9.14)
0.154 (3.91)
DIA.
0.148 (3.74)
0.113 (2.87)
0.103 (2.62)
0.145 (3.68)
0.135 (3.43)
0.410 (10.41)
0.390 (9.91)
PIN
12
0.635 (16.13)
0.625 (15.87)
0.350 (8.89)
0.330 (8.38)
1.148 (29.16)
1.118 (28.40)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.037 (0.94)
0.027 (0.68)
0.205 (5.20)
0.195 (4.95)
0.022 (0.56)
0.014 (0.36)
PIN 1
PIN 2
Dimensions in inches and (millimeters)
0.185 (4.70)
0.175 (4.44)
0.055 (1.39)
0.045 (1.14)
0.560 (14.22)
0.530 (13.46)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
CASE
FEATURES
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
Glass passivated chip junction
Low leakage, high voltage
High surge current capability
Superfast recovery time, for high efficiency
High temperature soldering guaranteed:
250°C, 0.16" (4.06mm) from case for 10 seconds
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC TO-220AC fully overmolded plastic body over
passivated chip
Terminals: Plated lead solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity: As marked
Mounting Position: Any
Mounting Torque: 5 in. - lbs. max.
Weight: 0.064 ounce, 1.81 grams
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
at TC=100°C
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed
on rated load (JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage at 8.0A
Maximum DC reverse current
TC=25°C
at rated DC blocking voltage at TC=100°C
Maximum reverse recovery time (NOTE 1)
Typical junction capacitance (NOTE 2)
Typical thermal resistance (NOTE 3)
(NOTE 4)
Operating junction and storage temperature range
NOTES:
(1) Reverse recovery test conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A
(2) Measured at 1.0 MHZ and applied reverse voltage of 4.0 Volts
(3) Thermal resistance from junction to ambient in free air, no heatsink
(4) Thermal resistance from junction to case mounted on heatsink
FES FES FES FES FES FES FES FES
SYMBOLS 8AT 8BT 8CT 8DT 8FT 8GT 8HT 8JT UNITS
VRRM
50 100 150 200 300 400 500 600 Volts
VRMS
35 70 105 140 210 280 350 420 Volts
VDC 50 100 150 200 300 400 500 600 Volts
I(AV)
8.0
Amps
IFSM
VF
IR
trr
CJ
RΘJA
RΘJC
TJ, TSTG
125.0
0.95 1.3
10.0
500.0
35.0 50.0
85.0
15.0
2.2
-65 to +150
Amps
1.5 Volts
µA
ns
60.0 pF
°C/W
°C
4/98





구       성 총 2 페이지수
다운로드[ FES8BT.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
FES8BT

FAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER

General Semiconductor
General Semiconductor

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵