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F2211 데이터시트 PDF




Polyfet RF Devices에서 제조한 전자 부품 F2211은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 F2211 자료 제공

부품번호 F2211 기능
기능 PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
제조업체 Polyfet RF Devices
로고 Polyfet RF Devices 로고


F2211 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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F2211 데이터시트, 핀배열, 회로
polyfet rf devices
F2211
General Description
Silicon VDMOS and LDMOS
transistors designed specifically
for broadband RF applications.
Suitable for Military Radios,
Cellular and Paging Amplifier Base
Stations, Broadcast FM/AM, MRI,
Laser Driver and others.
"Polyfet" TMprocess features
gold metal for greatly extended
lifetime. Low output capacitance
and high Ft enhance broadband
performance
PATENTED GOLD METALIZED
SILICON GATE ENHANCEMENT MODE
RF POWER VDMOS TRANSISTOR
15 Watts Push - Pull
Package Style AQ
HIGH EFFICIENCY, LINEAR,
HIGH GAIN, LOW NOISE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 Co )
Total
Device
Dissipation
Junction to
Case Thermal
Resistance
Maximum
Junction
Temperature
Storage
Temperature
DC Drain
Current
Drain to
Gate
Voltage
Drain to
Source
Voltage
Gate to
Source
Voltage
30 Watts
6 oC/W
200 oC
-65 oC to 150oC
3.2 A
50 V
50 V 30V
RF CHARACTERISTICS ( 15WATTS OUTPUT )
SYMBOL PARAMETER
MIN TYP MAX UNITS TEST CONDITIONS
Gps Common Source Power Gai
10
dB Idq = 0.4 A, Vds = 12.5 V, F = 400 MHz
η Drain Efficiency
45 % Idq = 0.4 A, Vds = 12.5 V, F = 400 MHz
VSWR Load Mismatch Toleranc
20:1 Relative Idq = 0.4 A, Vds = 12.5 V, F = 400 MHz
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (EACH SIDE)
SYMBOL PARAMETER
MIN TYP MAX UNITS TEST CONDITIONS
Bvdss Drain Breakdown Voltag
40
V Ids = 0.02 A, Vgs = 0V
Idss Zero Bias Drain Curren
0.4 mA Vds = 12.5 V, Vgs = 0V
Igss Gate Leakage Curren
1 uA Vds = 0 V, Vgs = 30V
Vgs Gate Bias for Drain Curren
1 7 V Ids =0.04 A, Vgs = Vds
gM Forward Transconductanc
0.4
Mho
Vds = 10V, Vgs = 5V
Rdson Saturation Resistanc
1.2
Ohm
Vgs = 20V, Ids =3.2 A
Idsat
Saturation Curren
4.6
Amp
Vgs = 20V, Vds = 10V
Ciss
Common Source Input Capacitanc
15 pF Vds = 12.5 V, Vgs = 0V, F = 1 MHz
Crss
Common Source Feedback Capacitanc
2.4
pF Vds = 12.5 V, Vgs = 0V, F = 1 MHz
Coss
Common Source Output Capacitanc
16 pF Vds = 12.5 V, Vgs = 0V, F = 1 MHz
POLYFET RF DEVICES
REVISION 8/1/97
1110 Avenida Acaso, Camarillo, CA 93012 TEL:(805) 484-4210 FAX:(805) 484-3393 EMAIL:[email protected] URL:www.polyfet.com





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