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ES1C 데이터시트 PDF




Shanghai Sunrise Electronics에서 제조한 전자 부품 ES1C은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 ES1C 자료 제공

부품번호 ES1C 기능
기능 SURFACE MOUNT SUPER FAST SWITCHING RECTIFIER
제조업체 Shanghai Sunrise Electronics
로고 Shanghai Sunrise Electronics 로고


ES1C 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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ES1C 데이터시트, 핀배열, 회로
SHANGHAI SUNRISE ELECTRONICS CO., LTD.
ES1A THRU ES1G
SURFACE MOUNT SUPER
FAST SWITCHING RECTIFIER
VOLTAGE: 50 TO 400V CURRENT: 1.0A
TECHNICAL
SPECIFICATION
FEATURES
• Ideal for surface mount pick and
place application
• Low profile package
• Built-in strain relief
• High surge capability
• Glass passivated chip
• Super fast recovery for high efficiency
• High temperature soldering guaranteed:
260oC/10sec/at terminal
MECHANICAL DATA
• Terminal: Plated leads solderable per
MIL-STD 202E, method 208C
• Case: Molded with UL-94 Class V-O
recognized flame retardant epoxy
• Polarity: Color band denotes cathode
SMA/DO-214AC
B
AC
D
F
GH
ABCD
MAX. .110(2.79) .177(4.50) .058(1.47) .012(0.305)
MIN. .100(2.54) .157(3.99) .052(1.32) .006(0.152)
E FGH
MAX. .208(5.28) .090(2.29) .008(0.203) .060(1.52)
MIN. .194(4.93) .078(1.98) .004(0.102) .030(0.76)
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Single-phase, half-wave, 60Hz, resistive or inductive load rating at 25oC, unless otherwise stated, for capacitive load,
derate current by 20%)
RATINGS
SYMBOL ES1A ES1B ES1C ES1D ES1E ES1G UNITS
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
VRRM
50 100 150 200 300 400
V
Maximum RMS Voltage
VRMS
35 70 105 140 210 280
V
Maximum DC Blocking Voltage
VDC 50 100 150 200 300 400 V
Maximum Average Forward Rectified Current
(TL=110oC)
IF(AV) 1.0 A
Peak Forward Surge Current (8.3ms single
half sine-wave superimposed on rated load)
IFSM
30
A
Maximum Instantaneous Forward Voltage
(at rated forward current)
Maximum DC Reverse Current
(at rated DC blocking voltage)
Ta=25oC
Ta=100oC
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
VF
IR
trr
0.95 1.25
5.0
200
35
V
µA
µA
nS
Typical Junction Capacitance
(Note 2)
Typical Thermal Resistance
(Note 3)
Storage and Operation Junction Temperature
CJ
Rθ(ja)
TSTG,TJ
10
40
-50 to +150
pF
oC/W
oC
Note:
1.Reverse recovery condition IF=0.5A, IR=1.0A,Irr=0.25A.
2.Measured at 1.0 MHz and applied voltage of 4.0Vdc
3.Thermal resistance from junction to terminal mounted on 5×5mm copper pad area
http://www.sse-diode.com





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