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M27W800-120B6TR 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 M27W800-120B6TR은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 M27W800-120B6TR 자료 제공

부품번호 M27W800-120B6TR 기능
기능 8 Mbit 1Mb x 8 or 512Kb x 16 Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


M27W800-120B6TR 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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M27W800-120B6TR 데이터시트, 핀배열, 회로
M27W800
8 Mbit (1Mb x 8 or 512Kb x 16)
Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM
s 2.7V to 3.6V LOW VOLTAGE in READ
OPERATION
s ACCESS TIME:
– 90ns at VCC = 3.0V to 3.6V
– 100ns at VCC = 2.7V to 3.6V
s BYTE-WIDE or WORD-WIDE
CONFIGURABLE
s 8 Mbit MASK ROM REPLACEMENT
s LOW POWER CONSUMPTION
– Active Current 30mA at 8MHz
– Standby Current 15µA
s PROGRAMMING VOLTAGE: 12.5V ± 0.25V
s PROGRAMMING TIME: 50µs/word
s ELECTRONIC SIGNATURE
– Manufacturer Code: 20h
– Device Code: B2h
DESCRIPTION
The M27W800 is a low voltage 8 Mbit EPROM of-
fered in the two ranges UV (ultra violet erase) and
OTP (one time programmable). It is ideally suited
for microprocessor systems requiring large data or
program storage. It is organised as either 1 Mbit
words of 8 bit or 512 Kbit words of 16 bit. The pin-
out is compatible with a 8 Mbit Mask ROM.
The M27W800 operates in the read mode with a
supply voltage as low as 2.7V. The decrease in
operating power allows either a reduction of the
size of the battery or an increase in the time be-
tween battery recharges.
The FDIP42W (window ceramic frit-seal package)
has a transparent lid which allows the user to ex-
pose the chip to ultraviolet light to erase the bit pat-
tern. A new pattern can then be written rapidly to
the device by following the programming proce-
dure.
For applications where the content is programmed
only one time and erasure is not required, the
M27W800 is offered in PDIP42 and PLCC44 pack-
age.
42
1
FDIP42W (F)
42
1
PDIP42 (B)
PLCC44 (K)
Figure 1. Logic Diagram
VCC
19
A0-A18
E
G
BYTEVPP
M27W800
Q15A–1
15
Q0-Q14
VSS
AI03601
March 2000
1/15




M27W800-120B6TR pdf, 반도체, 판매, 대치품
M27W800
Table 5. AC Measurement Conditions
Input Rise and Fall Times
Input Pulse Voltages
Input and Output Timing Ref. Voltages
High Speed
10ns
0 to 3V
1.5V
Standard
20ns
0.4V to 2.4V
0.8V and 2V
Figure 3. AC Testing Input Output Waveform
High Speed
3V
0V
Standard
2.4V
0.4V
1.5V
2.0V
0.8V
AI01822
Figure 4. AC Testing Load Circuit
1.3V
1N914
DEVICE
UNDER
TEST
3.3k
CL
OUT
CL = 30pF for High Speed
CL = 100pF for Standard
CL includes JIG capacitance
AI01823B
Table 6. Capacitance (1) (TA = 25 °C, f = 1 MHz)
Symbol
Parameter
Input Capacitance (except BYTEVPP)
CIN
Input Capacitance (BYTEVPP)
COUT Output Capacitance
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Test Condition
VIN = 0V
VIN = 0V
VOUT = 0V
Min Max Unit
10 pF
120 pF
12 pF
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M27W800-120B6TR 전자부품, 판매, 대치품
Figure 6. Byte-Wide Read Mode AC Waveforms
M27W800
A–1,A0-A18
E
G
Q0-Q7
VALID
tAVQV
tGLQV
tELQV
Note: BYTEVPP = VIL.
Figure 7. BYTE Transition AC Waveforms
tAXQX
VALID
tEHQZ
tGHQZ
Hi-Z
AI01597B
A0-A18
VALID
A–1
BYTEVPP
Q0-Q7
Q8-Q15
tAVQV
VALID
tAXQX
tBLQX
tBLQZ
tBHQV
DATA OUT
Hi-Z
DATA OUT
AI01598C
Note: Chip Enable (E) and Output Enable (G) = VIL.
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