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FMU-G16S 데이터시트 PDF




Sanken electric에서 제조한 전자 부품 FMU-G16S은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FMU-G16S 자료 제공

부품번호 FMU-G16S 기능
기능 Fast-Recovery Rectifier Diodes
제조업체 Sanken electric
로고 Sanken electric 로고


FMU-G16S 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FMU-G16S 데이터시트, 핀배열, 회로
Fast-Recovery Rectifier Diodes
Parameter
Type No.
VRM
(V)
FMU-G16S
FMU-G26S
600
600
Absolute Maximum Ratings
IF (AV) (A)
With
Heatsink
IFSM
(A)
50Hz
Half-cycle Sinewave
Single Shot
Tj
(°C)
Tstg
(°C)
VF
(V)
max per IF
element (A)
Electrical Characteristics (Ta=25°C)
IR IR (H)
(µA) (µA)
t rr Œ
(µs)
t rr 
(µs)
VR =VRM VR=VRM, Ta=100°C
max per element max per element
IF/IRP
(mA)
IF/IRP
(mA)
Rth ( j-c)
(°C/ W)
Others
Mass
(g)
Fig.
5.0 30
1.25 5.0
10.0 40 –40 to +150 1.35 10.0 50
0.4 0.18
4.0
500
100/100
100/200
2.1 A
FMU-G2YXS 100 10.0
100
1.0 10.0
0.2 0.08
4.2
FMU-G16S
Tc —IF(AV) Derating
5
t /T= 1/6
4
t/T= 1/2
D.C.
t /T= 1/ 3, Sinewave
3
2
1
0
70 80 90 100 110 120 130 140 150
Case Temperature Tc (°C)
FMU-G26S
Tc —IF(AV) Derating
10
D.C.
8 t/T= 1/2
t /T= 1/6
6
4 t /T= 1/ 3, Sinewave
2
0
70 80 90 100 110 120 130 140 150
Case Temperature Tc (°C)
FMU-G2YXS
Tc —IF(AV) Derating
10
D.C.
8 t /T= 1/6
t/T= 1/2
6 t /T= 1/ 3, Sinewave
4
2
0
70 80 90 100 110 120 130 140 150
Case Temperature Tc (°C)
External Dimensions
(Unit: mm) (Full-mold)
Flammability:
UL94V-0 or Equivalent
Fig. A
10.0
3.3
VF—IF Characteristics (Typical)
50
10
1
0.1
0.01
Ta = 150ºC
100ºC
60ºC
25ºC
0.001
0.1 0.3 0.5 0.7 0.9 1.1 1.3 1.5 1.7
Forward Voltage VF (V)
VF—IF Characteristics (Typical)
50
10
1
0.1
0.01
Ta = 150ºC
100ºC
60ºC
25ºC
0.001
0.1 0.3 0.5 0.7 0.9 1.1 1.3 1.5
Forward Voltage VF (V)
VF—IF Characteristics (Typical)
50
10
1
0.1
0.01
Ta = 150ºC
100ºC
60ºC
25ºC
0.001
0.1
0.3 0.5 0.7 0.9 1.1
Forward Voltage VF (V)
1.3
4.2
2.8 C0.5
1.35
0.85
0.45
+0.2
–0.1
5.08
2.4
IFMS Rating
30
20
20ms
10
0
1
5 10
50
Overcurrent Cycles
IFMS Rating
40
30
20ms
20
10
0
1
5 10
50
Overcurrent Cycles
IFMS Rating
100
80
20ms
60
40
20
0
1
5 10
50
Overcurrent Cycles
41





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