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FQA9N90 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FQA9N90은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FQA9N90 자료 제공

부품번호 FQA9N90 기능
기능 900V N-Channel MOSFET
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FQA9N90 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FQA9N90 데이터시트, 핀배열, 회로
FQA9N90
900V N-Channel MOSFET
March 2001
QFET TM
General Description
These N-Channel enhancement mode power field effect
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,
planar stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to
minimize on-state resistance, provide superior switching
performance, and withstand high energy pulse in the
avalanche and commutation mode. These devices are well
suited for high efficiency switch mode power supplies.
Features
• 8.6A, 900V, RDS(on) = 1.3@VGS = 10 V
• Low gate charge ( typical 55 nC)
• Low Crss ( typical 25 pF)
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability
G DS
TO-3P
FQA Series
G!
D
!
◀▲
!
S
Absolute Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted
Symbol
VDSS
ID
IDM
VGSS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
PD
TJ, TSTG
TL
Parameter
Drain-Source Voltage
Drain Current
- Continuous (TC = 25°C)
- Continuous (TC = 100°C)
Drain Current - Pulsed
(Note 1)
Gate-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
Avalanche Current
(Note 1)
Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)
Power Dissipation (TC = 25°C)
- Derate above 25°C
Operating and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8" from case for 5 seconds
Thermal Characteristics
Symbol
RθJC
RθCS
RθJA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Case-to-Sink
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
FQA9N90
900
8.6
5.45
34.4
± 30
900
8.6
24
4.0
240
1.92
-55 to +150
300
Typ
--
0.24
--
Max
0.52
--
40
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Units
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/°C
°C
°C
Units
°C/W
°C/W
°C/W
Rev. A, March 2001




FQA9N90 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics (Continued)
1.2
1.1
1.0
0.9 Notes :
1.
2.
IVDG=S =2500Vμ
A
0.8
-100
-50 0 50 100 150
TJ, Junction Temperature [oC]
200
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
102 Operation in This Area
is Limited by RDS(on)
10 µs
101 100 µs
1 ms
10 ms
DC
100
10-1
10-2
100
Notes :
1. T = 25 oC
C
2. TJ = 150 oC
3. Single Pulse
101 102
VDS, Drain-Source Voltage [V]
103
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
Notes :
1. VGS = 10 V
2. ID = 4.3 A
-50 0 50 100 150
TJ, Junction Temperature [oC]
200
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
10
8
6
4
2
0
25 50 75 100 125 150
T , Case Temperature []
C
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
D = 0.5
1 0 -1
0.2
0.1
0.05
1 0 -2
0.02
0.01
sin gle pu lse
N otes :
1. Z θ JC(t) = 0.52 /W M ax.
2 . D uty Fa c to r, D = t1/t2
3.
T
JM
-
T
C
=
P
DM
*
Zθ
(t)
JC
PDM
t1
t2
1 0 -5
1 0 -4
1 0 -3
1 0 -2
1 0 -1
100
t1, S qu a re W ave P u lse D u ra tion [se c]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
101
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, March 2001

4페이지










FQA9N90 전자부품, 판매, 대치품
Package Dimensions
ø3.20 ±0.10
15.60 ±0.20
13.60 ±0.20
9.60 ±0.20
TO-3P
4.80 ±0.20
1.50
+0.15
–0.05
2.00 ±0.20
3.00 ±0.20
1.00 ±0.20
5.45TYP
[5.45 ±0.30]
5.45TYP
[5.45 ±0.30]
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation
1.40 ±0.20
0.60
+0.15
–0.05
Rev. A, March 2001

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