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FQT5P10 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FQT5P10은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 FQT5P10 자료 제공

부품번호 FQT5P10 기능
기능 250V N-Channel MOSFET
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FQT5P10 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FQT5P10 데이터시트, 핀배열, 회로
FQT5P10
100V P-Channel MOSFET
QFET TM
General Description
These P-Channel enhancement mode power field effect
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,
planar stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to
minimize on-state resistance, provide superior switching
performance, and withstand high energy pulse in the
avalanche and commutation mode. These devices are well
suited for low voltage applications such as audio amplifier,
high efficiency switching DC/DC converters, and DC motor
control.
Features
• -1.0A, -100V, RDS(on) = 1.05@VGS = -10 V
• Low gate charge ( typical 6.3 nC)
• Low Crss ( typical 18 pF)
• Fast switching
• Improved dv/dt capability
D
S
G SOT-223
FQT Series
Absolute Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted
Symbol
VDSS
ID
IDM
VGSS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
PD
TJ, TSTG
TL
Parameter
Drain-Source Voltage
Drain Current
- Continuous (TC = 25°C)
- Continuous (TC = 70°C)
Drain Current - Pulsed
(Note 1)
Gate-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
Avalanche Current
(Note 1)
Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)
Power Dissipation (TC = 25°C)
- Derate above 25°C
Operating and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8" from case for 5 seconds
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
RθJA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)
D
G
S
FQT5P10
-100
-1.0
-0.8
-4.0
± 30
55
-1.0
0.2
-6.0
2.0
0.016
-55 to +150
300
Typ Max
-- 62.5
Units
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/°C
°C
°C
Units
°C/W
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, August 2002




FQT5P10 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics (Continued)
1.2
1.1
1.0
0.9 Notes:
1. V =0V
2.
I
GS
=
-250μ
A
D
0.8
-100
-50 0 50 100 150
TJ, Junction Temperature [oC]
200
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
101
100
10-1
10-2
10-1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
100 µs
1 ms
10 ms
100 ms
DC
Notes :
1. TC = 25 oC
2. TJ = 150 oC
3. Single Pulse
100 101
-VDS, Drain-Source Voltage [V]
102
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
Notes :
1. VGS = -10 V
2. ID = -0.5 A
-50 0
50 100 150
TJ, Junction Temperature [oC]
200
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
25 50 75 100 125 150
T , Case Temperature []
C
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
102
D =0 .5
0 .2
101
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
100 0.01
s in gle pu ls e
N otes :
1 . Z θ J C(t) = 6 2 .5 /W M a x .
2. D u ty F ac to r, D = t1/t2
3 . T J M - T C = P D M * Z θ J C( t )
PDM
t1
t2
1 0 -1
1 0 -5
1 0 -4
1 0 -3
1 0 -2
1 0 -1
100
101
102
103
t1, S quare W ave P ulse D uration [sec]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, August 2002

4페이지










FQT5P10 전자부품, 판매, 대치품
Package Dimensions
SOT-223
3.00 ±0.10
MAX1.80
0.06
+0.04
–0.02
(0.95)
2.30 TYP
4.60 ±0.25
0.70 ±0.10
(0.95)
0.25
+0.10
–0.05
0°~10°
6.50 ±0.20
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Dimensions in Millimeters
Rev. B, August 2002

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