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FQU6P25 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FQU6P25은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FQU6P25 자료 제공

부품번호 FQU6P25 기능
기능 250V P-Channel MOSFET
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FQU6P25 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FQU6P25 데이터시트, 핀배열, 회로
FQD6P25 / FQU6P25
250V P-Channel MOSFET
April 2000
QFETTM
General Description
These P-Channel enhancement mode power field effect
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,
planar stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to
minimize on-state resistance, provide superior switching
performance, and withstand high energy pulse in the
avalanche and commutation mode. These devices are well
suited for high efficiency switching DC/DC converters.
Features
• -4.7A, -250V, RDS(on) = 1.1@VGS = -10 V
• Low gate charge ( typical 21 nC)
• Low Crss ( typical 20 pF)
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability
D
S
!
GS
D-PAK
FQD Series
GDS
I-PAK
FQU Series
Absolute Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
VDSS
ID
IDM
VGSS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
PD
TJ, TSTG
TL
Drain-Source Voltage
Drain Current
Drain Current
- Continuous (TC = 25°C)
- Continuous (TC = 100°C)
- Pulsed
(Note 1)
Gate-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
Avalanche Current
(Note 1)
Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)
Power Dissipation (TA = 25°C) *
Power Dissipation (TC = 25°C)
- Derate above 25°C
Operating and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8from case for 5 seconds
G!




!
D
FQD6P25 / FQU6P25
-250
-4.7
-3.0
-18.8
±30
540
-4.7
5.5
-5.5
2.5
55
0.44
-55 to +150
300
Units
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W
W/°C
°C
°C
Thermal Characteristics
Symbol
RθJC
RθJA
RθJA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)
©2000 Fairchild Semiconductor International
Typ
Max
Units
--
2.27
°CW
-- 50 °CW
-- 110 °CW
Rev. A, April 2000




FQU6P25 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics (Continued)
1.2
1.1
1.0
0.9 Notes:
1. VGS =0V
2. ID=-250A
0.8
-100
-50 0 50 100 150
TJ, Junction Temperature [oC]
200
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
101
100
10-1
100
100 µs
1 ms
10 ms
DC
 Notes :
1. TC = 25 oC
2. TJ = 150 oC
3. Single Pulse
101 102
-VDS, Drain-Source Voltage [V]
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
 Notes :
1. VGS = -10 V
2. ID = -3.0 A
-50 0
50 100 150
TJ, Junction Temperature [oC]
200
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
5
4
3
2
1
0
25 50 75 100 125 150
TC, Case Temperature []
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
100 D =0.5
1 0 -1
0 .2
0 .1
0 .05
0 .02
0 .01
s in g le p u ls e
 N ote s :
1.
Z

(t)
JC
=
2.27
 /W
M ax.
2. D u ty F actor, D =t1/t2
3 . T JM - T C = P D M * Z  JC(t)
PDM
t1
t2
1 0 -5
1 0 -4
1 0 -3
1 0 -2
1 0 -1
100
t , S q u a re W a v e P u ls e D u ra tio n [s e c ]
1
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
101
©2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, April 2000

4페이지










FQU6P25 전자부품, 판매, 대치품
Package Dimensions
(0.50)
6.60 ±0.20
5.34 ±0.30
(4.34)
DPAK
(0.50)
2.30 ±0.10
0.50 ±0.10
MAX0.96
2.30TYP
[2.30±0.20]
0.76 ±0.10
2.30TYP
[2.30±0.20]
6.60 ±0.20
(5.34)
(5.04)
(1.50)
0.50 ±0.10
1.02 ±0.20
2.30 ±0.20
(2XR0.25)
©2000 Fairchild Semiconductor International
0.76 ±0.10
Rev. A, April 2000

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