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E50A21VBS PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 E50A21VBS
기능 STACK SILICON DIFFUSED DIODE (ALTERNATOR DIODE FOR AUTOMOTIVE)
제조업체 KEC(Korea Electronics)
로고 KEC(Korea Electronics) 로고 



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E50A21VBS 데이터시트, 핀배열, 회로
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
ALTERNATOR DIODE FOR AUTOMOTIVE APPLICATION.
FEATURES
Average Forward Current : IO=50A.
Zener Voltage : 21V(Typ.)
POLARITY
E50A21VBS (+ Type)
E50A21VBR (- Type)
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Average Forward Current
Peak 1 Cycle Surge Current
IF(AV)
IFSM
Non-Repetitive Peak
Reverse Surge Current (10mS)
IRSM
Transient Peak Reverse Voltage
Peak Reverse Voltage
Junction Temperature
Storage Temperature Range
VRSM
VRM
Tj
Tstg
RATING
50
380 (60Hz)
55
19
16
-40 215
-40 215
UNIT
A
A
A
V
V
E50A21VBS, E50A21VBR
STACK SILICON DIFFUSED DIODE
A
K
H
EI
JD
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
MILLIMETERS
Φ11.5 MAX
Φ12.75+0.09-0.00
Φ1.3+_ 0.04
4.2+_ 0.2
8.0+_ 0.2
TYP 0.5
Φ10.0+_ 0.2
0.4+_ 0.1x45
8.5 MAX
0.2+0.1
28.35+_ 0.5
F
G
B
B-PF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Forward Voltage
Zener Voltage
Reverse Current
Transient Thermal Resistance
Breakdown Voltage
VF
VZ
IR
VF
Vbr
Temperature Coefficient
Reverse Leakage Current Under
High Temperature
T
HIR
Temperature Resistance
Rth
TEST CONDITION
IFM=100A
IZ=10mA
VR=18V
IFM=100A, IM=100mA, Pw=100mS
Irsm=55A, Pw=10mS
IZ=10mA
Ta=150 , VR=18V
DC total junction to case
MIN.
-
19
-
-
-
-
-
-
TYP.
-
21
-
-
-
15.7
-
-
MAX.
1.05
23
0.3
60
32
-
UNIT
V
V
A
mV
V
mV/
100 A
0.6 /W
2002. 4. 16
Revision No : 5
1/1






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