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E65A27VBS 데이터시트 PDF




KEC(Korea Electronics)에서 제조한 전자 부품 E65A27VBS은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 E65A27VBS 자료 제공

부품번호 E65A27VBS 기능
기능 STACK SILICON DIFFUSED DIODE (ALTERNATOR DIODE FOR AUTOMOTIVE)
제조업체 KEC(Korea Electronics)
로고 KEC(Korea Electronics) 로고


E65A27VBS 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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E65A27VBS 데이터시트, 핀배열, 회로
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
ALTERNATOR DIODE FOR AUTOMOTIVE APPLICATION.
FEATURES
Average Forward Current : IO=65A.
Zener Voltage : 27V(Typ.)
POLARITY
E65A27VBS (+ Type)
E65A27VBR (- Type)
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Average Forward Current
Peak 1 Cycle Surge Current
Non-Repetitive Peak
Reverse Surge Current (10mS)
IF(AV)
IFSM
IRSM
Transient Peak Reverse Voltage
Peak Reverse Voltage
Junction Temperature
Storage Temperature Range
VRSM
VRM
Tj
Tstg
RATING
65
450 (60Hz)
65
20
20
-40 215
-40 215
UNIT
A
A
A
V
V
E65A27VBS, E65A27VBR
STACK SILICON DIFFUSED DIODE
A
K
H
EI
JD
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
MILLIMETERS
Φ11.5 MAX
Φ12.75+0.09-0.00
Φ1.3+_ 0.04
4.2+_ 0.2
8.0+_ 0.2
TYP 0.5
Φ10.0+_ 0.2
0.4 +_ 0.1x45
8.5 MAX
0.2+0.1
28.35+_ 0.5
F
G
B
B-PF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Forward Voltage
Zener Voltage
Reverse Current
Transient Thermal Resistance
Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
Reverse Leakage Current Under
High Temperature
VF
VZ
IR
VF
Vbr
T
HIR
Temperature Resistance
Rth
TEST CONDITION
IFM=100A
IZ=10mA
VR=20V
IFM=100A, IM=100mA, Pw=100mS
Irsm=65A, Pw=10mS
IZ=10mA
Ta=150 , VR=20V
DC total junction to case
MIN.
-
24
-
-
-
-
-
-
TYP.
-
27
-
-
-
15.7
-
-
MAX.
1.05
29
0.2
50
34
-
UNIT
V
V
A
mV
V
mV/
100 A
0.6 /W
2002. 10. 9
Revision No : 0
1/1





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