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DM-231 데이터시트 PDF




Sony Corporation에서 제조한 전자 부품 DM-231은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 DM-231 자료 제공

부품번호 DM-231 기능
기능 Magnetoresistance Element
제조업체 Sony Corporation
로고 Sony Corporation 로고


DM-231 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 5 페이지수

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DM-231 데이터시트, 핀배열, 회로
DM-231
Magnetoresistance Element
For the availability of this product, please contact the sales office.
Description
DM-231 a magnetic sensor using magnetoresist-
M-118 (Plastic)
ance effect is composed of ferromagnetic material
deposited by evaporation on a silicon substrate. It is
suitable for angle of rotation detection.
Features
Low magnetic field and high sensitivity: bridge type
stands for large output voltage
150 mVp-p (Min.) at VCC=5 V, H=14400 A/m
Fitted with bias magnet: stable output.
High reliability: Achieved through silicon nitride
protective film.
Structure
Ferromagnetic thin film circuit (With ferrite magnet)
Applications
Non-contact angle of rotation detection.
Contactless potentiometer.
Absolute Maximum Ratings (Ta=25 °C)
Supply voltage
VCC 10
Storage temperature Tstg –30 to +100
V
°C
Recommended Operating Conditions
Supply voltage
VCC
5
Operating temperature Topr –20 to + 75
V
°C
Electrical Characteristics
Item Symbol
Output voltage
VO
Midpoint potential
Midpoint potential
difference/Output voltage
VA, VB
|VA-VB|
VO
Total resistance
RT
Condition
VCC=5 V , H=14400 A/m (Peak)
AC magnetic field θ =0 °
VCC=5 V , H=0 A/m
VCC=5 V , H=0 A/m
H=14400 A/m (Peak)
AC magnetic field θ =0 °
Min.
150
2.475
Ta=25 °C
Typ. Max. Unit
mVp-p
2.525 V
15 %
500 650 800
Sony reserves the right to change products and specifications without prior notice. This information does not convey any license by
any implication or otherwise under any patents or other right. Application circuits shown, if any, are typical examples illustrating the
operation of the devices. Sony cannot assume responsibility for any problems arising out of the use of these circuits.
—1—
E88Z12C5X-TE




DM-231 pdf, 반도체, 판매, 대치품
DM-231
Midpoint potential vs. Magnetic field Intensi ty (1)
2.54
2.52
2.50
H
VA
VCC
231
GND
VCC=5V
2.48
2.46
0
H
VA 231 GND
VCC
4000 8000 12000 16000
H-Magnetic field intensity (Oe)
Midpoint potential vs. Magnetic field Intensity (2)
2.54
2.52
2.50
H
VCC
231 GND
VB
VCC=5V
2.48
2.46
0
H
231 GND
VCC
VB
4000 8000 12000 16000
H-Magnetic field intensity (Oe)
Midpoint potential vs. Magnetic field direction
2.54
2.52
2.50
2.48
VA
θH
VA
231
VCC
GND
VB
VCC=5V
H=14400A/m
2.46
VB
–90 –45 0 45 90
θ-Magnetic field direction (deg)
Output voltage vs. Magnetic field intensity
200
150
100 H
VA 231 GND
VCC
VB
50 H: Peak intensity of AC magnetic field
VCC=5V
0 4000 8000 12000 16000
H-Magnetic field intensity (Oe)
Temperature characteristics
800
200 RT
700
150
600
VO
100
50
—20
H=14400A/m
AC Magnetic field
VCC=5V
500
400
0 20 40 60
Ta-Ambient temperature (°C)
80
—4—

4페이지












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