|
|
|
부품번호 | B6S 기능 |
|
|
기능 | SMD Genenal Purpose Bridge Rectifier | ||
제조업체 | Comchip Technology | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
SMD Genenal Purpose Bridge Rectifier
B05S Thru B10S
Glass Passivated Type
Reverse Voltage: 50 - 1000 Volts
Forward Current: 0.5 Amp
COMCHIP
www.comchip.com.tw
Features
Ideal for surface mount applications
Easy pick and place
Plastic package has Underwriters Lab.
flammability classification 94V-0
Built-in strain relief
Glas passivated junction
TO-269AA
Mechanical data
Case: JEDEC DO-269AA molded plastic
Terminals: solderable per MIL-STD-750,
method 2026
Polarity: Marked on body
Mounting position: Any
Approx. Weight:0.22 gram
Dimension in inches and (millimeters)
Maximum Ratings and Electrical Characterics
Parameter
Symbol
Max. Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM
Max. DC Blocking Voltage
VDC
Max. RMS Voltage
VRMS
Peak Surge Forward Current
8.3ms single half sine-wave
superimposed on rate load
( JEDEC method )
IFSM
Max. Average Forward Current
Io
Max. Instantaneous Forward Current
at 0.5 A
VF
Max. DC Reverse Current at Rated DC
Blocking Voltage
Ta=25 C
Ta=125 C
IR
Max. Thermal Resistance (Note 1)
R JA
Operating Junction Temperature
Tj
Storage Temperature
TSTG
B05S
50
50
35
B1S
100
100
70
Note 1: Thermal resistance from junction to ambient.
B2S
200
200
140
B4S
400
400
280
B6S
600
600
420
30
0.5
1.0
5
500
85
-55 to +150
-55 to +150
B8S
800
800
560
B10S
1000
1000
700
Unit
V
V
V
A
A
V
uA
C/W
C
C
MDS0212005A
Page 1
| |||
구 성 | 총 2 페이지수 | ||
다운로드 | [ B6S.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
B6-125-165-40SI | Diode ( Rectifier ) | American Microsemiconductor |
B6-250-330-40SI | Diode ( Rectifier ) | American Microsemiconductor |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |