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부품번호 | 4AK18 기능 |
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기능 | Silicon N-Channel Power MOS FET Array | ||
제조업체 | Hitachi Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 9 페이지수
4AK18
Silicon N-Channel Power MOS FET Array
Application
High speed power switching
Features
• Low on-resistance
RDS(on) ≤ 0.38 , VGS = 10 V, ID = 1 A
RDS(on) ≤ 0.53 , VGS = 4 V, ID = 1 A
• Capable of 4 V gate drive
• Low drive current
• High speed switching
• High density mounting
• Suitable for motor driver, solenoid driver and lamp driver
4AK18
Maximum Channel Dissipation Curve
6
Condition : Channel Dissipation of
each die is identical
5 4 Device Operation
3 Device Operation
4
2 Device Operation
3 1 Device Operation
2
1
0 25 50 75 100 125 150
Ambient Temperature Ta (°C)
Maximum Safe Operation Area
100
30
10 10 µs
3
1.0
0.3
Ta = 25°C
0.1 0.3 1.0 3 10 30 100
Drain to Source Voltage VDS (V)
Maximum Channel Dissipation Curve
30
Condition : Channel Dissipation
of each die is identical
4 Device Operation
3 Device Operation
2 Device Operation
20 1 Device Operation
10
0 25 50 75 100 125 150
Case Temperature TC (°C)
Typical Output Characteristics
5 10 V
5V
Pulse Test
4 4V
3.5 V
3
3V
2
1 2.5 V
VGS = 2 V
0 2 4 6 8 10
Drain to Source Voltage VDS (V)
4
4페이지 4AK18
Switching Characteristics
100
td (off)
50
tf
20
tr
10
5
td (on)
2
VGS = 10 V
VDD
=•
•
30
V
PW = 2µs, duty < 1 %
1
0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2
Drain Current ID (A)
5
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
5
Pulse Test
4
3
10 V
15 V
2
5V
1 VGS = 0, –5 V
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
Source to Drain Voltage VSD (V)
7
7페이지 | |||
구 성 | 총 9 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
4AK15 | Silicon N-Channel Power MOS FET Array | Hitachi Semiconductor |
4AK16 | Silicon N-Channel Power MOS FET Array | Hitachi Semiconductor |
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