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부품번호 | 2SC4907 기능 |
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기능 | Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Switching Regulator and General Purpose) | ||
제조업체 | Sanken electric | ||
로고 | |||
전체 1 페이지수
2SC4907
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (High Voltage and High Speed Switchihg Transistor) Application : Switching Regulator and General Purpose
sAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
PC
Tj
Tstg
2SC4907
600
500
10
6(Pulse12)
2
30(Tc=25°C)
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
°C
°C
sElectrical Characteristics
Symbol
Conditions
ICBO
IEBO
V(BR)CEO
hFE
VCE(sat)
VBE(sat)
fT
COB
VCB=600V
VEB=10V
IC=25mA
VCE=4V, IC=2A
IC=2A, IB=0.4A
IC=2A, IB=0.4A
VCE=12V, IE=–0.5A
VCB=10V, f=1MHz
sTypical Switching Characteristics (Common Emitter)
VCC
RL
IC
VBB1
VBB2
IB1
(V) (Ω) (A) (V) (V) (A)
200 100
2
10 –5 0.2
IB2
(A)
–0.4
ton
(µs)
1max
(Ta=25°C)
2SC4907
1max
100max
500min
10to30
Unit
mA
µA
V
0.5max
1.3max
8typ
45typ
V
V
MHz
pF
tstg
(µs)
4.5max
tf
(µs)
0.5max
External Dimensions FM20(TO220F)
10.1±0.2
4.2±0.2
2.8 c0.5
ø3.3±0.2
a
b
1.35±0.15
1.35±0.15
2.54
0.85
+0.2
-0.1
2.54
0.45
+0.2
-0.1
2.4±0.2
2.2±0.2
Weight : Approx 2.0g
a. Type No.
B C E b. Lot No.
I C– V CE Characteristics (Typical)
6
1A
5
800mA
600mA
4 400mA
300mA
3
200mA
2
IB=100mA
1
0
0 1 2 34
Collector-Emitter Voltage VCE(V)
VCE(sat),VBE(sat)–IC Temperature Characteristics (Typical)
(IC/IB=5)
2
1
0
0.02
–55˚C (Case Temp)
25˚C (Case Temp)
125˚C (Case Temp)
VCE(sat)
VBE(sat)
25˚C
125˚C (Case Tem
–55˚C
0.05 0.1
0.5 1
Collector Current IC(A)
5
I C– V BE Temperature Characteristics (Typical)
(VCE=4V)
6
5
4
3
2
1
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
Base-Emittor Voltage VBE(V)
h FE– I C Characteristics (Typical)
(VCE=4V)
50
125˚C
25˚C
–55˚C
10
5
0.02
0.05 0.1
0.5 1
Collector Current IC(A)
56
t on• t stg• t f– I C Characteristics (Typical)
7
5
VCC 200V
IC:IB1:IB2=10:1:–2
1
0.5
ton
tstg
0.1
0.2
tf
0.5 1
Collector Current IC(A)
56
θ j-a– t Characteristics
4
1
0.5
0.3
1
10 100
Time t(ms)
1000
Safe Operating Area (Single Pulse)
20
10 100µs
5
Reverse Bias Safe Operating Area
20
10
5
Pc–Ta Derating
30
20
1
0.5 Without Heatsink
Natural Cooling
0.1
10
50 100
500 1000
Collector-Emitter Voltage VCE(V)
120
1
Without Heatsink
0.5
Natural Cooling
L=3mH
IB2=–0.5A
Duty:less than 1%
0.1
10
50 100
500 1000
Collector-Emitter Voltage VCE(V)
10
Without Heatsink
2
0
0 25 50 75 100 125
Ambient Temperature Ta(˚C)
150
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2SC4900 | Silicon NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
2SC4901 | Silicon NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
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