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부품번호 | 2SD1113 기능 |
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기능 | Silicon NPN Triple Diffused | ||
제조업체 | Hitachi Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 5 페이지수
2SD1113(K)
Silicon NPN Triple Diffused
Application
Igniter
Outline
TO-220AB
2
1
23
1. Base
2. Collector
(Flange)
3. Emitter
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Collector current
Collector peak current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Note: 1. Value at TC = 25°C.
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
I C(peak)
PC * 1
Tj
Tstg
1
6 kΩ
(Typ)
450 Ω
(Typ)
3
Ratings
300
300
7
6
10
40
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
W
°C
°C
11.5 MAX
10.16 ± 0.2
9.5
8.0
φ
3.6
+0.1
-0.08
Unit: mm
4.44 ± 0.2
1.26 ± 0.15
2.54 ± 0.5
1.5 MAX
0.76 ± 0.1
2.54 ± 0.5
2.7 MAX
0.5 ± 0.1
Hitachi Code
JEDEC
EIAJ
Weight (reference value)
TO-220AB
Conforms
Conforms
1.8 g
4페이지 | |||
구 성 | 총 5 페이지수 | ||
다운로드 | [ 2SD1113.PDF 데이터시트 ] |
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2SD111 | Silicon NPN Power Transistor | INCHANGE |
2SD1110 | SILICON POWER TRANSISTOR | SavantIC |
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