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DS_K6F8016U6B 데이터시트 PDF




Samsung semiconductor에서 제조한 전자 부품 DS_K6F8016U6B은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 DS_K6F8016U6B 자료 제공

부품번호 DS_K6F8016U6B 기능
기능 512K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
제조업체 Samsung semiconductor
로고 Samsung semiconductor 로고


DS_K6F8016U6B 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 9 페이지수

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DS_K6F8016U6B 데이터시트, 핀배열, 회로
K6F8016U6B Family
CMOS SRAM
Document Title
512K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
Revision History
Revision No. History
0.0 Initial draft
1.0 Finalize
- ICC2 change : 30mA to 28mA for 55ns product
25mA to 22mA for 70ns product
Draft Date
July 24, 2001
Remark
Preliminary
September 27, 2001 Final
The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the specifications and
products. SAMSUNG Electronics will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.
1 Revision 1.0
September 2001




DS_K6F8016U6B pdf, 반도체, 판매, 대치품
K6F8016U6B Family
CMOS SRAM
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS1)
Item
Symbol
Supply voltage
Vcc
Ground
Vss
Input high voltage
VIH
Input low voltage
VIL
Note:
1. TA=-40 to 85°C, otherwise specified.
2. Overshoot: VCC+2.0V in case of pulse width 20ns.
3. Undershoot: -2.0V in case of pulse width 20ns.
4. Overshoot and undershoot are sampled, not 100% tested.
Min
2.7
0
2.2
-0.33)
Typ Max Unit
3.0 3.3 V
0 0V
-
Vcc+0.32)
V
- 0.6 V
CAPACITANCE1) (f=1MHz, TA=25°C)
Item
Input capacitance
Input/Output capacitance
1. Capacitance is sampled, not 100% tested.
Symbol
CIN
CIO
Test Condition
VIN=0V
VIO=0V
Min Max Unit
- 8 pF
- 10 pF
DC AND OPERATING CHARACTERISTIC
Item
Input leakage current
Output leakage current
Average operating current
Output low voltage
Output high voltage
Standby Current(CMOS)
Symbol
Test Conditions
Min Typ1) Max Unit
ILI VIN=Vss to Vcc
-1 -
1 µA
ILO CS1=VIH or CS2=VIL or OE=VIH or WE=VIL or
LB=UB=VIH, VIO=Vss to Vcc
-1 -
1 µA
Cycle time=1µs, 100%duty, IIO=0mA, CS10.2V,
ICC1 LB0.2V or/and UB0.2V, CS2Vcc-0.2V, VIN0.2V or - - 2 mA
VINVCC-0.2V
ICC2
Cycle time=Min, IIO=0mA, 100% duty, CS1=VIL,
CS2=VIH, LB=VIL or/and UB=VIL, VIN=VIL or VIH
70ns
55ns
-
-
- 22
mA
- 28
VOL IOL = 2.1mA
VOH IOH = -1.0mA
Other input =0~Vcc
ISB1 1) CS1Vcc-0.2V, CS2Vcc-0.2V(CS1 controlled) or
2) 0VCS20.2V(CS2 controlled)
- - 0.4 V
2.4 -
-V
- 0.5 15 µA
1. Typical values are measured at VCC=3.0V, TA=25°C and not 100% tested.
4 Revision 1.0
September 2001

4페이지










DS_K6F8016U6B 전자부품, 판매, 대치품
K6F8016U6B Family
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1) (WE Controlled)
Address
CS1
tWC
tCW(2)
CMOS SRAM
tWR(4)
CS2
UB, LB
WE
Data in
Data out
tAS(3)
High-Z
Data Undefined
tAW
tBW
tWP(1)
tWHZ
tDW tDH
Data Valid
tOW
High-Z
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2) (CS1 Controlled)
Address
tAS(3)
tWC
tCW(2)
CS1
CS2
tAW
UB, LB
WE
tBW
tWP(1)
Data in
tWR(4)
tDW tDH
Data Valid
Data out
High-Z
High-Z
7 Revision 1.0
September 2001

7페이지


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다운로드[ DS_K6F8016U6B.PDF 데이터시트 ]

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