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6MBI15S-120 데이터시트 PDF




Fuji Electric에서 제조한 전자 부품 6MBI15S-120은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 6MBI15S-120 자료 제공

부품번호 6MBI15S-120 기능
기능 IGBT MODULE ( S series)1200V / 15A
제조업체 Fuji Electric
로고 Fuji Electric 로고


6MBI15S-120 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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6MBI15S-120 데이터시트, 핀배열, 회로
6MBI15S-120
IGBT MODULE ( S series)
1200V / 15A 6 in one-package
Features
· Compact package
· P.C.board mount
· Low VCE(sat)
Applications
· Inverter for motor drive
· AC and DC servo drive amplifier
· Uninterruptible power supply
· Industrial machines, such as welding machines
Maximum ratings and characteristics
Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless otherwise specified)
Item
Symbol
Collector-Emitter voltage
VCES
Gate-Emitter voltage
VGES
Collector Continuous Tc=25°C IC
current
Tc=80°C
1ms Tc=25°C IC pulse
Tc=80°C
-IC
1ms -IC pulse
Max. power dissipation (1 device) PC
Operating temperature
Tj
Storage temperature
Tstg
Isolation voltage
Vis
Screw torque
Mounting *1
Rating
Unit
1200
V
±20 V
25 A
15
50 A
30
15 A
30 A
110 W
+150
°C
-40 to +125
°C
AC 2500 (1min.) V
3.5 N·m
*1 : Recommendable value : 2.5 to 3.5 N·m (M5)
IGBT Modules
Equivalent Circuit Schematic
13(P)
1(Gu)
5(Gv)
9(Gw)
2(Eu)
3(Gx)
4(Ex)
17(N)
6(Ev)
16(U)
7(Gy)
8(Ey)
10(Ew)
15(V)
11(Gz)
12(Ez)
14(W)
Electrical characteristics (Tj=25°C unless otherwise specified)
Item
Symbol
Zero gate voltage collector current
Gate-Emitter leakage current
Gate-Emitter threshold voltage
Collector-Emitter saturation voltage
ICES
IGES
VGE(th)
VCE(sat)
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on time
Turn-off time
Diode forward on voltage
Cies
Coes
Cres
ton
tr
tr(i)
toff
tf
VF
Reverse recovery time
trr
Characteristics
Min.
Typ.
––
––
5.5 7.2
– 2.3
– 2.8
– 1800
– 375
– 330
– 0.35
– 0.25
– 0.1
– 0.45
– 0.08
– 2.5
– 2.0
––
Max.
1.0
0.2
8.5
2.6
1.2
0.6
1.0
0.3
3.3
0.35
Conditions
VGE=0V, VCE=1200V
VCE=0V, VGE=±20V
VCE=20V, IC=15mA
Tj=25°C VGE=15V, IC=15A
Tj=125°C
VGE=0V
VCE=10V
f=1MHz
VCC=600V
IC=15A
VGE=±15V
RG=82 ohm
Tj=25°C
Tj=125°C
IF=15A
IF=15A, VGE=0V
Unit
mA
µA
V
V
pF
µs
V
µs
Thermal resistance characteristics
Item
Symbol
Characteristics
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Rth(j-c)
– 1.14 IGBT
Thermal resistance
Rth(j-c)
– 1.85 FWD
Rth(c-f)*2
0.05 –
the base to cooling fin
*2 : This is the value which is defined mounting on the additional cooling fin with thermal compound
Unit
°C/W
°C/W
°C/W




6MBI15S-120 pdf, 반도체, 판매, 대치품
6MBI15S-120
35
30
25
20
15
10
5
0
0
Forward current vs. Forward on voltage (typ.)
Tj=125 oC Tj=25 oC
12
Forward on voltage : VF [ V ]
3
4
Transient thermal resistance
5
FWD
IGBT
1
0.5
IGBT Modules
Reverse recovery characteristics (typ.)
Vcc=600V,VGE=±15V, Rg=82
300
trr(125 oC)
100
trr(25 oC)
50
Irr(125 oC)
10
Irr(25 oC)
5
0
10
Forward current : IF [ A ]
20
0.1
0.05
0.001
0.01 0.1
Pulse width : Pw [ sec ]
M623
1
Outline Drawings, mm
4-ø6.1±0.3
2-ø5.5±0.3
16.02
15.24
107.5±1
93±0.3
15.24 15.24
15.24
17 13
69.6±0.3
ø2.5±0.1
93±0.3
1
3.81
16.02 11.43 11.43 11.43 11.43 11.43
A
12
ø2.1±0.1
A
Section A-A
1.15±0.2 ø0.4
Shows theory dimensions

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