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6MBP75RA120 데이터시트 PDF




Fuji Electric에서 제조한 전자 부품 6MBP75RA120은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 6MBP75RA120 자료 제공

부품번호 6MBP75RA120 기능
기능 IGBT-IPM(1200V/75A)
제조업체 Fuji Electric
로고 Fuji Electric 로고


6MBP75RA120 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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6MBP75RA120 데이터시트, 핀배열, 회로
6MBP75RA120
IGBT-IPM R series
1200V / 75A 6 in one-package
Features
· Temperature protection provided by directly detecting the junction
temperature of the IGBTs
· Low power loss and soft switching
· Compatible with existing IPM-N series packages
· High performance and high reliability IGBT with overheating protection
· Higher reliability because of a big decrease in number of parts in
built-in control circuit
Maximum ratings and characteristics
Absolute maximum ratings(at Tc=25°C unless otherwise specified)
Item
Symbol
DC bus voltage
DC bus voltage (surge)
DC bus voltage (short operating)
Collector-Emitter voltage
INV Collector current
DC
1ms
DC
Collector power dissipation One transistor
Junction temperature
Input voltage of power supply for Pre-Driver
Input signal voltage
Input signal current
Alarm signal voltage
Alarm signal current
Storage temperature
Operating case temperature
Isolating voltage (Case-Terminal)
Screw torque
Mounting (M5)
Terminal (M5)
VDC
VDC(surge)
VSC
VCES
IC
ICP
-IC
PC
Tj
VCC *1
Vin *2
Iin
VALM *3
IALM *4
Tstg
Top
Viso *5
Rating
Unit
Min. Max.
0 900 V
0 1000 V
200 800 V
0 1200 V
- 75 A
- 150 A
- 75 A
- 500 W
- 150 °C
0 20 V
0 Vz V
- 1 mA
0 Vcc V
- 15 mA
-40 125 °C
-20 100 °C
- AC2.5 kV
- 3.5 *6 N·m
- 3.5 *6 N·m
*1 Apply Vcc between terminal No. 3 and 1, 6 and 4, 9 and 7, 11 and 10.
*2 Apply Vin between terminal No. 2 and 1, 5 and 4, 8 and 7, 13,14,15 and 10.
*3 Apply VALM between terminal No. 16 and 10.
*4 Apply IALM to terminal No. 16.
*5 50Hz/60Hz sine wave 1 minute.
*6 Recommendable Value : 2.5 to 3.0 N·m
Fig.1 Measurement of case temperature
Electrical characteristics of power circuit (at Tc=Tj=25°C, Vcc=15V)
Item
INV
Collector current at off signal input
Collector-Emitter saturation voltage
Forward voltage of FWD
Symbol
ICES
VCE(sat)
VF
Condtion
VCE=1200V input terminal open
Ic=75A
-Ic=75A
Min.
Typ.
Max.
1.0
2.6
3.0
Unit
mA
V
V




6MBP75RA120 pdf, 반도체, 판매, 대치품
6MBP75RA120
Characteristics (Representative)
Control Circuit
Po wer supp ly current vs. Sw itching frequency
T j= 1 0 0 °C
50
P -side
N -sid e
40
V cc= 17V
V cc= 15V
V cc= 13V
30
20
10
0
0
V cc= 17V
V cc= 15V
V cc= 13V
5 10 15 20
S witching frequency : fsw (kH z)
25
U nder volta ge vs. Junc tion tem p erature
14
12
10
8
6
4
2
0
20 40 60 80 100 120 140
Junction tem perature : Tj (°C )
Alarm h old tim e vs. Po wer supply voltage
3
2.5
Tj=125°C
2
T j=2 5°C
1.5
1
0.5
0
12 13 14 15 16 17 18
P ow er supply voltage : V cc (V)
IGBT-IPM
Inpu t signal threshold voltage
vs. Po wer supply voltage
2.5
Tj= 2 5 °C
Tj= 1 25 °C
2
} V in(off)
1.5 } V in(on)
1
0.5
0
12 13 14 15 16 17 18
P ower supply voltage : V cc (V)
Under voltage hysterisis vs. Jnction tem perature
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0 20 40 60 80 100 120 140
Junction tem perature : Tj (°C)
Over heating characteristics
TcO H,TjOH,TcH,TjH vs. Vcc
200
T jO H
150
TcOH
100
50
0
12
T c H ,T jH
13 14 15 16 17
P ow er s upply voltage : V cc (V)
18

4페이지










6MBP75RA120 전자부품, 판매, 대치품
6MBP75RA120
Over current protection vs. Junction tem perature
Vcc=15V
300
250
200
150
100
50
0
0 20 40 60 80 100 120 140
Junction tem perature : Tj(°C)
IGBT-IPM

7페이지


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