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부품번호 | KDR368 기능 |
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기능 | SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE(LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING) | ||
제조업체 | KEC(Korea Electronics) | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING.
FEATURES
Low Forward Voltage : VF(2)=0.23V (Typ.)
Small Package : USC.
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL RATING
Maximum (Peak) Reverse Voltage
Reverse Voltage
Maximum (Peak) Forward Current
Average Forward Current
Surge Current (10ms)
Power Dissipation
Junction Temperature
VRM
VR
IFM
IO
IFSM
PD
Tj
20
20
200
100
1
150*
125
Storage Temperature Range
Tstg -55 125
* : Mounted on a glass epoxy circuit board of 20 20mm,
pad dimension of 4 4mm.
UNIT
V
V
mA
mA
A
mW
KDR368
SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE
B
1
G
H
2
D
MM
1. ANODE
2. CATHODE
J
C
I
DIM MILLIMETERS
A 2.50 +_ 0.1
B 1.25+_ 0.05
C 0.90 +_0.05
D 0.30+0.06/-0.04
E 1.70 +_ 0.05
F MIN 0.17
G 0.126 +_ 0.03
H 0~0.1
I 1.0 MAX
J 0.15 +_0.05
K 0.4 +_0.05
L 2 +4/-2
M 4~6
USC
Marking
Type Name
U4
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Forward Voltage
Reverse Current
VF(1)
VF(2)
VF(3)
IR
Total Capacitance
CT
TEST CONDITION
IF=1mA
IF=5mA
IF=100mA
VR=10V
VR=10V, f=1MHz
MIN.
-
-
-
-
-
TYP.
0.18
0.23
0.35
-
20
MAX.
-
0.30
0.50
20
40
UNIT
V
A
pF
2003. 2. 25
Revision No : 2
1/2
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
KDR367 | SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE(LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING) | KEC(Korea Electronics) |
KDR367E | SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE(LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING) | KEC(Korea Electronics) |
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