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KDR721S 데이터시트 PDF




KEC(Korea Electronics)에서 제조한 전자 부품 KDR721S은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 KDR721S 자료 제공

부품번호 KDR721S 기능
기능 SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE(CATHODE COMMAND)
제조업체 KEC(Korea Electronics)
로고 KEC(Korea Electronics) 로고


KDR721S 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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KDR721S 데이터시트, 핀배열, 회로
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
For high speed switching circuit.
For small current rectification.
FEATURES
Low Forward Voltage : VF max=0.55V.
IO=200mA recification possible.
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
Repetitive Peak Reverse Voltage
Reverse Voltage
Average Forward Current
Non-repetitive peak surge current
Junction Temperature
Storage Temperature
SYMBOL
VRRM
VR
IO
IFSM
Tj
Tstg
RATING
30
30
0.2
1
125
-55 125
UNIT
V
V
A
A
KDR721S
SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE
(CATHODE COMMAND)
E
L BL
23
1
PP
M
1. ANODE 1
2. ANODE 2
3. CATHODE
DIM
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
MILLIMETERS
2.93+_ 0.20
1.30+0.20/-0.15
1.30 MAX
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
1.90
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
7
3
21
SOT-23
Marking
MFType Name
Lot No.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Reverse Voltage
Forward Voltage
Reverse Current
Total Capacitance
VR
VF
IR
CT
Reverse Recovery Time
trr
TEST CONDITION
IR=1mA
IF=0.2A
VR=30V
VR=10V, f=1MHz
IR=IF=10mA
MIN.
30
-
-
-
-
TYP.
-
-
-
13
3
MAX.
-
0.55
50
-
-
UNIT
V
V
A
pF
nS
2003. 2. 25
Revision No : 1
1/2





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