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IXBH9N140G 데이터시트 PDF




IXYS Corporation에서 제조한 전자 부품 IXBH9N140G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 IXBH9N140G 자료 제공

부품번호 IXBH9N140G 기능
기능 High Voltage BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
제조업체 IXYS Corporation
로고 IXYS Corporation 로고


IXBH9N140G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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IXBH9N140G 데이터시트, 핀배열, 회로
High Voltage BIMOSFETTM
Monolithic Bipolar
MOS Transistor
N-Channel, Enhancement Mode
MOSFET compatible
Preliminary Data
IXBH 9N140G
IXBH 9N160G
VCES = 1400/1600 V
IC25 = 9 A
VCE(sat) = 4.9 V typ.
tfi = 70 ns
C TO-247 AD
GG
C
E
C (TAB)
E
G = Gate,
C = Collector,
E = Emitter,
TAB = Collector
Symbol
VCES
VCGR
VGES
VGEM
IC25
I
C90
ICM
SSOA
(RBSOA)
PC
T
J
TJM
T
stg
TL
Md
Weight
Symbol
BVCES
VGE(th)
ICES
IGES
V
CE(sat)
Conditions
Maximum Ratings
9N140G 9N160G
TJ = 25°C to 150°C
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 M
Continuous
Transient
1400
1400
1600
1600
±20
±30
V
V
V
V
TC = 25°C,
T
C
= 90°C
TC = 25°C, 1 ms
VGE= 10 V, TVJ = 125°C, RG = 27 VCE = 0.8•VCES
Clamped inductive load, L = 100 µH
9
5
10
ICM = 12
A
A
A
A
TC = 25°C
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
100
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
W
°C
°C
°C
°C
Mounting torque
1.15/10 Nm/lb.in.
6g
Conditions
IC = 0.25 mA, VGE = 0 V
IC = 0.5 mA, VCE = VGE
VCE = 0.8 • VCES
VGE = 0 V
VCE = 0 V, VGE = ±20 V
I = I , V = 15 V
C C90 GE
Characteristic Values
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
9N140G
9N160G
1400
1600
3.5
V
V
5.5 V
TJ = 25°C
TJ = 125°C
100 µA
0.1 mA
± 500 nA
TJ = 125°C
4.9 7 V
5.6 V
Features
• High Voltage BIMOSFETTM
- replaces high voltage Darlingtons
and series connected MOSFETs
- lower effective R
DS(on)
• MOS Gate turn-on
- drive simplicity
- MOSFET compatible for 10V
turn on gate voltage
• Monolithic construction
- high blocking voltage capability
- very fast turn-off characteristics
• International standard package
JEDEC TO-247 AD
• Reverse conducting capability
Applications
• Flyback converters
• DC choppers
• Uninterruptible power supplies (UPS)
• Switched-mode and resonant-mode
power supplies
• CRT deflection
• Lamp ballasts
Advantages
• Easy to mount with 1 screw
(isolated mounting screw hole)
• Space savings
• High power density
C4
© 2000 IXYS All rights reserved
IXYS Semiconductor GmbH
Edisonstr. 15, D-68623 Lampertheim
Phone: +49-6206-503-0, Fax: +49-6206-503627
1 -4
IXYS Corporation
3540 Bassett Street, Santa Clara CA 95054
Phone: (408) 982-0700, Fax: 408-496-0670




IXBH9N140G pdf, 반도체, 판매, 대치품
IXBH 9N140G
IXBH 9N160G
140
120
100
VCE = 960V
VGE = 10V
RG = 27
TJ = 125°C
80
60
40
0 2 4 6 8 10 12 14 16
IC - Amperes
Fig. 7 Typ. Fall Time
10
250
200
150
VCE = 960V
VGE = 10V
IC = 5A
TJ = 125°C
100
50
0
0 10 20 30 40 50
Rg - Ohms
Fig. 8 Typ. Turn Off Delay Time
60
1
0.1
0.01
Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
Pulse Width - Seconds
Fig. 9 Typ. Transient Thermal Impedance
0.1
IXBH 9-140/160G
1
C4
© 2000 IXYS All rights reserved
4 -4

4페이지












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