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IXDH20N120D1 데이터시트 PDF




IXYS Corporation에서 제조한 전자 부품 IXDH20N120D1은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 IXDH20N120D1 자료 제공

부품번호 IXDH20N120D1 기능
기능 High Voltage IGBT with optional Diode
제조업체 IXYS Corporation
로고 IXYS Corporation 로고


IXDH20N120D1 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IXDH20N120D1 데이터시트, 핀배열, 회로
High Voltage IGBT
with optional Diode
Short Circuit SOA Capability
Square RBSOA
IXDH 20N120
VCES = 1200 V
IXDH 20N120 D1 IC25
= 38 A
V =CE(sat) typ 2.4 V
C C TO-247 AD
GG
EE
IXDH 20N120 IXDH 20N120 D1
Symbol
Conditions
VCES
VCGR
VGES
VGEM
IC25
IC90
ICM
RBSOA
TJ = 25°C to 150°C
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 20 kW
Continuous
Transient
TC = 25°C
TC = 90°C
TC = 90°C, tp = 1 ms
VGE = ±15 V, TJ = 125°C, RG = 82 W
Clamped inductive load, L = 30 µH
tSC
(SCSOA)
PC
VGE = ±15 V, VCE = VCES, TJ = 125°C
RG = 82 W, non repetitive
TC = 25°C
IGBT
Diode
TJ
Tstg
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Md
Weight
Mounting torque
Maximum Ratings
1200
1200
V
V
±20 V
±30 V
38 A
25 A
50 A
ICM = 35
VCEK < VCES
10
A
µs
200
75
-55 ... +150
-55 ... +150
300
W
W
°C
°C
°C
0.8 - 1.2
6
Nm
g
G
C
E
G = Gate,
C = Collector ,
C (TAB)
E = Emitter
TAB = Collector
Features
q NPT IGBT technology
q low saturation voltage
q low switching losses
q square RBSOA, no latch up
q high short circuit capability
q positive temperature coefficient for
easy paralleling
q MOS input, voltage controlled
q optional ultra fast diode
q International standard package
Advantages
q Space savings
q High power density
Typical Applications
q AC motor speed control
q DC servo and robot drives
q DC choppers
q Uninteruptible power supplies (UPS)
q Switch-mode and resonant-mode
power supplies
Symbol
V(BR)CES
VGE(th)
ICES
IGES
VCE(sat)
Conditions
Characteristic Values
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
VGE = 0 V
IC = 0.6 mA, VCE = VGE
VCE = VCES
TJ = 25°C
T = 125°C
J
VCE = 0 V, VGE = ± 20 V
IC = 20 A, VGE = 15 V
1200
V
4.5 6.5 V
1 mA
2 mA
± 500 nA
2.4 3 V
© 2000 IXYS All rights reserved
1-4




IXDH20N120D1 pdf, 반도체, 판매, 대치품
7 140
m6J 1n2s0
Eon 5
4
3
2
1
td(on)
tr
Eon
100 t
VCE = 600V
VGE = ±15V
RG = 82W
TJ = 125°C
80
60
40
20
00
0 10 20 30 A 40
IC
Fig. 7 Typ. turn on energy and switching
times versus collector current
12
VCE = 600V
mJ VGE = ±15V
IC = 20A
Eon 8 TJ = 125°C
240
td(on) ns
tr 160 t
Eon
4 80
W0 0
0 50 100 150 200 250 300 350
RG
Fig. 9 Typ. turn on energy and switching
times versus gate resistor
40
3A5
ICM 30
25
20
15
RG = 82W
TJ = 125°C
VCEK < VCES
10
5
0
0 200 400 600 800 1000 1200 V
VCE
Fig. 11 Reverse biased safe operating area
RBSOA
IXDH 20N120
IXDH 20N120 D1
5
mJ
4
Eoff
3
2
1
td(off)
Eoff
500
ns
400
VCE = 600V
VGE = ±15V
RG = 82W
TJ = 125°C
tf
t
300
200
100
00
0 10 20 30 A 40
IC
Fig. 8 Typ. turn off energy and switching
times versus collector current
4
mJ
Eoff 3
VCE = 600V
VGE = ±15V
IC = 20A
TJ = 125°C
2
1600
Eoff
ns
td(off)
1200
t
800
1 400
W0 tf 0
0 50 100 150 200 250 300 350
RG
Fig.10 Typ. turn off energy and switching
times versus gate resistor
10
K/W
1
ZthJC
0.1
diode
IGBT
0.01
0.001
single pulse
0.0001
0.00001 0.0001 0.001
0.01
IXDH20N120D1
0.1 s 1
t
Fig. 12 Typ. transient thermal impedance
© 2000 IXYS All rights reserved
4-4

4페이지












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