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J106 데이터시트 PDF




Vishay Telefunken에서 제조한 전자 부품 J106은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 J106 자료 제공

부품번호 J106 기능
기능 N-Channel JFETs
제조업체 Vishay Telefunken
로고 Vishay Telefunken 로고


J106 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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J106 데이터시트, 핀배열, 회로
N-Channel JFETs
J105/106/107
Vishay Siliconix
PRODUCT SUMMARY
Part Number
J105
J106
J107
VGS(off) (V)
–4.5 to –10
–2 to –6
–0.5 to –4.5
rDS(on) Max (W) ID(off) Typ (pA)
3 10
6 10
8 10
tON Typ (ns)
14
14
14
FEATURES
BENEFITS
D Low On-Resistance: J105 < 3 W
D Fast Switching—tON: 14 ns
D Low Leakage: 10 pA
D Low Capacitance: 20 pF
D Low Insertion Loss
D Low Error Voltage
D High-Speed Analog Circuit Performance
D Negligible “Off-Error,” Excellent Accuracy
D Good Frequency Response
D Eliminates Additional Buffering
APPLICATIONS
D Analog Switches
D Choppers
D Sample-and-Hold
D Normally “On” Switches
D Current Limiters
DESCRIPTION
The J105/106/107 are high-performance JFET analog
switches designed to offer low on-resistance and fast
switching. rDS(on) <3 W is guaranteed for the J105 making this
device the lowest of any commercially available JFET.
The low cost TO-226AA (TO-92) plastic package is available
in a wide range of tape-and-reel options (see Packaging
Information). For similar products in TO-206AC (TO-52)
packaging, see the U290/291 data sheet.
TO-226AA
(TO-92)
D1
S2
G3
Top View
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Gate-Drain, Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –25 V
Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 mA
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 to 150_C
Operating Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 to 150_C
Document Number: 70230
S-04028—Rev. D, 04-Jun-01
Power Dissipationa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350 mW
Notes
a. Derate 2.8 mW/_C above 25_C
www.vishay.com
7-1




J106 pdf, 반도체, 판매, 대치품
J105/106/107
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Capacitance vs. Gate-Source Voltage
150
VDS = 0 V
f = 1 MHz
120
Transconductance vs. Drain Current
200
VGS(off) = 5 V
VDS = 10 V
f = 1 kHz
100
90
Ciss
60
TA = 55_C
10 125_C
25_C
Crss
30
0
0 4 8 12 16 20
VGS Gate-Source Voltage (V)
Output Conductance vs. Drain Current
20
VGS(off) = 5 V
10
VDS = 10 V
f = 1 kHz
1
1 10
ID Drain Current (mA)
Noise Voltage vs. Frequency
100
VDG = 10 V
100
TA = 55_C
1 125_C
25_C
10 ID = 10 mA
0.1
1
10
ID Drain Current (mA)
100
Forward Transconductance and Output Conductance
vs. Gate-Source Cutoff Voltage
300 30
gfs and gos @ VDS = 10 V
VGS = 0 V, f = 1 kHz
260 24
220 gfs
gos
180
18
12
140 6
100
0
2 4
6 8
VGS(off) Gate-Source Cutoff Voltage (V)
0
10
www.vishay.com
7-4
1
10
100 1 k 10 k
f Frequency (Hz)
100 k
100 nA
10 nA
1 nA
100 pA
Gate Leakage Current
TA = 125_C
100 mA
IGSS @ 125_C
25 mA
TA = 25_C
100 mA
25 mA
10 pA
IGSS @ 25_C
1 pA
0
4 8 12 16
VDG Drain-Gate Voltage (V)
20
Document Number: 70230
S-04028Rev. D, 04-Jun-01

4페이지












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