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J110 데이터시트 PDF




InterFET Corporation에서 제조한 전자 부품 J110은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 J110 자료 제공

부품번호 J110 기능
기능 N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
제조업체 InterFET Corporation
로고 InterFET Corporation 로고


J110 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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J110 데이터시트, 핀배열, 회로
B-50
J110, J110A
N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
01/99
¥ Choppers
¥ Commutators
¥ Analog Switches
Absolute maximum ratings at TA = 25¡C
Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage
Continuous Forward Gate Current
Continuous Device Power Dissipation
Power Derating
– 25 V
50 mA
360 mW
3.27 mW/°C
At 25°C free air temperature:
Static Electrical Characteristics
Gate Source Breakdown Voltage
Gate Reverse Current
Gate Source Cutoff Voltage
Drain Saturation Current (Pulsed)
Drain Cutoff Current
Dynamic Electrical Characteristics
Drain Source ON Resistance
Drain Gate Capacitance
Source Gate Capacitance
Drain Gate + Source Gate Capacitance
Switching Characteristics
Turn ON Delay Time
Rise Time
Turn OFF Delay Time
Fall Time
V(BR)GSS
IGSS
VGS(OFF)
IDSS
ID(OFF)
J110 J110A
Min Max Min Max Unit
– 25 – 25
–3 –3
– 0.5 – 4 – 0.5 – 4
10 10
33
V
nA
V
mA
nA
rds(on)
Cgd
Cgs
Cgd + Cgs
td(on)
tr
td(off)
tf
18
15
15
85
Typ
4
1
6
30
25
15
15
85
Typ
4
1
6
30
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
Process NJ450
Test Conditions
IG = – 1 µA, VDS = ØV
VGS = – 15V, VDS = ØV
VDS = 5V, ID = 1 µA
VDS = 15V, VGS = ØV
VDS = 5V, VGS = – 10V
VGS = Ø, VDS < = 0.1V
VDS = ØV, VGS = – 10V
VDS = ØV, VGS = – 10V
VDS = VGS = ØV
f = 1 kHz
f = 1 MHz
f = 1 MHz
f = 1 MHz
VDD
VGS(OFF)
RL
J110 J110A
1.5 1.5
–5 –5
150 150
V
V
1000 N. Shiloh Road, Garland, TX 75042
(972) 487-1287 FAX (972) 276-3375
TOÐ226AA Package
Dimensions in Inches (mm)
Pin Configuration
1 Drain, 2 Source, 3 Gate
Surface Mount
SMPJ110, SMPJ110A
www.interfet.com





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