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부품번호 | J111 기능 |
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기능 | N-channel silicon field-effect transistors | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
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전체 6 페이지수
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
J111; J112; J113
N-channel silicon field-effect
transistors
Product specification
File under Discrete Semiconductors, SC07
July 1993
Philips Semiconductors
N-channel silicon field-effect transistors
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified
Input capacitance
VDS = 0; −VGS = 10 V; f = 1 MHz
VDS = −VGS = 0; f = 1 MHz
Feedback capacitance
VDS = 0; −VGS = 10 V; f = 1 MHz
Switching times
test conditions
VDD = 10 V; VGS = 0 to VGSoff
−VGS off = 12 V; RL = 750 Ω for J111
−VGS off = 7 V; RL = 1550 Ω for J112
−VGS off = 5 V; RL = 3150 Ω for J113
Rise time
Turn-on time
Fall time
Turn-off time
Cis
Cis
Crs
tr
ton
tf
toff
Product specification
J111; J112; J113
typ.
typ.
max.
typ.
6 pF
22 pF
28 pF
3 pF
typ. 6 ns
typ. 13 ns
typ. 15 ns
typ. 35 ns
ok, halfpage
VDD
10 nF
50 Ω
10 µF
50 Ω
1 µF
RL
DUT
SAMPLING
SCOPE
50 Ω
MBK289
VGS = 0 V
Vi
VGS off
10%
90%
90%
Vo
10%
toff
tf
ton
tr
MBK288
Fig.2 Switching times test circuit.
Fig.3 Input and output waveforms.
July 1993
4
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구 성 | 총 6 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
J110 | N-channel silicon junction FETs | NXP Semiconductors |
J110 | N-Channel Switch | Fairchild Semiconductor |
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