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J202 데이터시트 PDF




Calogic LLC에서 제조한 전자 부품 J202은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 J202 자료 제공

부품번호 J202 기능
기능 N-Channel JFET General Purpose Amplifier
제조업체 Calogic LLC
로고 Calogic  LLC 로고


J202 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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J202 데이터시트, 핀배열, 회로
N-Channel JFET
General Purpose Amplifier
CORPORATION
J201 – J204 / SST201 – SST204
FEATURES
High Input Impedance
•• Low IGSS
PIN CONFIGURATION
TO-92
D SG
5010
SOT-23
G
D
S
PRODUCT MARKING (SOT-23)
SST201
A01
SST202
A02
SST203
A03
SST204
A04
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(TA = 25oC unless otherwise specified)
Gate-Source or Gate-Drain Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . -40V
Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA
Storage Temperature Range . . . . . . . . . . . . . -55oC to +150oC
Operating Temperature Range . . . . . . . . . . . -55oC to +135oC
Lead Temperature (Soldering, 10sec) . . . . . . . . . . . . . +300oC
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 360mW
Derate above 25oC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3mW/oC
NOTE: Stresses above those listed under "Absolute Maximum
Ratings" may cause permanent damage to the device. These are
stress ratings only and functional operation of the device at these or
any other conditions above those indicated in the operational sections
of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum
rating conditions for extended periods may affect device reliability.
ORDERING INFORMATION
Part Package
Temperature Range
J201-204 Plastic TO-92
SST201-204 Plastic SOT-23
-55oC to +135oC
-55oC to +135oC
For Sorted Chips in Carriers see 2N4338 series.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25oC unless otherwise specified)
SYMBOL
PARAMETER
201 202 203 204
UNITS TEST CONDITIONS
MIN TYP MAX MIN TYP MAX MIN TYP MAX MIN TYP MAX
IGSS
Gate Reverse Current
(Note 1)
-100
-100
-100
-100 pA VDS = 0, VGS = -20V
VGS(off)
BVGSS
Gate-Source Cutoff
Voltage
Gate-Source Breakdown
Voltage
-0.3
-40
-1.5 -0.8
-40
-4.0 -2.0
-40
-10.0 -0.3
-25
-2.0 VDS = 20V, ID = 10nA
V
VDS = 0, IG = -1µA
IDSS
Saturation Drain Current
(Note 2)
0.2
1.0 0.9
4.5 4.0
20 0.2 1.2 3.0 mA VDS = 20V, VGS = 0
IG Gate Current (Note 1)
-10
-10
-10
-10 pA VDG = 20V, ID = IDSS(min)
gfs
Common-Source Forward
Transconductance (Note 2)
500
gos
Common-Source Output
Conductance
1
Ciss
Common-Source Input
Capacitance
4
Crss
Common-Source Reverse
Transfer Capacitance
1
1,000
3.5
4
1
1,500
10
4
1
500 1,500
2.5
4
1
µs f = 1kHz
VDS = 20V,
VGS = 0
pF
f = 1MHz
(Note 3)
en
Equivalent Short-Circuit
Input Noise Voltage
5
5
5
10
nV VDS = 10V, f = 1kHz
√Hz VGS = 0 (Note 3)
NOTES: 1. Approximately doubles for every 10oC increase in TA.
2. Pulse test duration = 2ms.
3. For design reference only, not 100% tested.





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