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J211 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 J211은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 J211 자료 제공

부품번호 J211 기능
기능 25V, 10mA, N-channel Field-effect Transistor
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


J211 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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J211 데이터시트, 핀배열, 회로
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
J210; J211; J212
N-channel field-effect transistors
Product specification
File under Discrete Semiconductors, SC07
1997 Dec 01




J211 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
N-channel field-effect transistors
Product specification
J210; J211; J212
STATIC CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C.
SYMBOL
PARAMETER
V(BR)GSS
VGSoff
VGSS
IDSS
IGSS
yfs
yos
gate-source breakdown voltage
gate-source cut-off voltage
J210
J211
J212
gate-source forward voltage
drain current
J10
J11
J12
reverse gate leakage current
common-source transfer admittance
J210
J211
J212
common source output admittance
J210
J211
J212
CONDITIONS
IG = 1 µA; VDS = 0
ID = 1 nA; VDS = 15 V
IG = 0; VDS = 0
VGS = 0; VDS = 15 V
VGS = 15 V; VDS = 0
VGS = 0; VDS = 15 V
VGS = 0; VDS = 15 V
MIN.
MAX.
UNIT
25 V
1 3 V
2.5 4.5 V
4 6 V
1V
2 15 mA
7 20 mA
15 40 mA
100
pA
4 12 mS
6 12 mS
7 12 mS
150 µS
200 µS
200 µS
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Tamb = 25 °C.
SYMBOL
PARAMETER
Cis input capacitance
Cos output capacitance
Crs feedback capacitance
gis common source input conductance
gfs common source transfer conductance
grs common source feedback conductance
gos common source output conductance
Vn equivalent input noise voltage
CONDITIONS
VDS = 15 V; VGS = 10 V; f = 1 MHz
VDS = 15 V; VGS = 0; f = 1 MHz
VDS = 15 V; VGS = 10 V; f = 1 MHz
VDS = 15 V; VGS = 0; f = 1 MHz
VDS = 15 V; VGS = 10 V; f = 1 MHz
VDS = 15 V; VGS = 0; f = 1 MHz
VDS = 15 V; VGS = 0; f = 100 MHz
VDS = 15 V; VGS = 0; f = 450 MHz
VDS = 15 V; VGS = 0; f = 100 MHz
VDS = 15 V; VGS = 0; f = 450 MHz
VDS = 15 V; VGS = 0; f = 100 MHz
VDS = 15 V; VGS = 0; f = 450 MHz
VDS = 15 V; VGS = 0; f = 100 MHz
VDS = 15 V; VGS = 0; f = 450 MHz
VDS = 15 V; VGS = 0; f = 1 kHz
TYP.
2
4
0.8
2
0.8
0.9
70
1.1
7.5
7.5
8
90
95
200
5
UNIT
pF
pF
pF
pF
pF
pF
µS
mS
mS
mS
µS
µS
µS
µS
nV/Hz
1997 Dec 01
4

4페이지










J211 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
N-channel field-effect transistors
Product specification
J210; J211; J212
handbook,2h4alfpage
ID
(mA)
16
MGM285
8
0
6 4 2 VGS (V) 0
J212.
VDS = 10 V; Tj = 25 °C.
Fig.10 Input characteristics; typical values.
handbook, h2alfpage
Crs
(pF)
1.5
MGM286
1
0.5
0
10
8
6
4 2
0
VGS (V)
VDS = 15 V; f = 1 Mhz; Tamb = 25 °C.
Fig.11 Feedback capacitance as a function of
gate-source voltage; typical values.
5
handbook, halfpage
Cis
(pF)
4
MGM287
3
2
1
0
10 8 6 4 2
0
VGS (V)
VDS = 15 V; f = 1 Mhz; Tamb = 25 °C.
Fig.12 Input capacitance as a function of
gate-source voltage; typical values.
1997 Dec 01
500
handbook, halfpage
Ptot
(mW)
400
300
200
100
0
0
50
MGM290
100 Tamb (°C) 150
Fig.13 Power derating curve.
7

7페이지


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