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부품번호 | J211 기능 |
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기능 | 25V, 10mA, N-channel Field-effect Transistor | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
로고 | |||
전체 12 페이지수
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
J210; J211; J212
N-channel field-effect transistors
Product specification
File under Discrete Semiconductors, SC07
1997 Dec 01
Philips Semiconductors
N-channel field-effect transistors
Product specification
J210; J211; J212
STATIC CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C.
SYMBOL
PARAMETER
V(BR)GSS
VGSoff
VGSS
IDSS
IGSS
yfs
yos
gate-source breakdown voltage
gate-source cut-off voltage
J210
J211
J212
gate-source forward voltage
drain current
J10
J11
J12
reverse gate leakage current
common-source transfer admittance
J210
J211
J212
common source output admittance
J210
J211
J212
CONDITIONS
IG = −1 µA; VDS = 0
ID = 1 nA; VDS = 15 V
IG = 0; VDS = 0
VGS = 0; VDS = 15 V
VGS = −15 V; VDS = 0
VGS = 0; VDS = 15 V
VGS = 0; VDS = 15 V
MIN.
−
MAX.
UNIT
−25 V
−1 −3 V
−2.5 −4.5 V
−4 −6 V
−1V
2 15 mA
7 20 mA
15 40 mA
−
−100
pA
4 12 mS
6 12 mS
7 12 mS
− 150 µS
− 200 µS
− 200 µS
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Tamb = 25 °C.
SYMBOL
PARAMETER
Cis input capacitance
Cos output capacitance
Crs feedback capacitance
gis common source input conductance
gfs common source transfer conductance
grs common source feedback conductance
gos common source output conductance
Vn equivalent input noise voltage
CONDITIONS
VDS = 15 V; VGS = −10 V; f = 1 MHz
VDS = 15 V; VGS = 0; f = 1 MHz
VDS = 15 V; VGS = −10 V; f = 1 MHz
VDS = 15 V; VGS = 0; f = 1 MHz
VDS = 15 V; VGS = −10 V; f = 1 MHz
VDS = 15 V; VGS = 0; f = 1 MHz
VDS = 15 V; VGS = 0; f = 100 MHz
VDS = 15 V; VGS = 0; f = 450 MHz
VDS = 15 V; VGS = 0; f = 100 MHz
VDS = 15 V; VGS = 0; f = 450 MHz
VDS = 15 V; VGS = 0; f = 100 MHz
VDS = 15 V; VGS = 0; f = 450 MHz
VDS = 15 V; VGS = 0; f = 100 MHz
VDS = 15 V; VGS = 0; f = 450 MHz
VDS = 15 V; VGS = 0; f = 1 kHz
TYP.
2
4
0.8
2
0.8
0.9
70
1.1
7.5
7.5
−8
−90
95
200
5
UNIT
pF
pF
pF
pF
pF
pF
µS
mS
mS
mS
µS
µS
µS
µS
nV/√Hz
1997 Dec 01
4
4페이지 Philips Semiconductors
N-channel field-effect transistors
Product specification
J210; J211; J212
handbook,2h4alfpage
ID
(mA)
16
MGM285
8
0
−6 −4 −2 VGS (V) 0
J212.
VDS = 10 V; Tj = 25 °C.
Fig.10 Input characteristics; typical values.
handbook, h2alfpage
Crs
(pF)
1.5
MGM286
1
0.5
0
−10
−8
−6
−4 −2
0
VGS (V)
VDS = 15 V; f = 1 Mhz; Tamb = 25 °C.
Fig.11 Feedback capacitance as a function of
gate-source voltage; typical values.
5
handbook, halfpage
Cis
(pF)
4
MGM287
3
2
1
0
−10 −8 −6 −4 −2
0
VGS (V)
VDS = 15 V; f = 1 Mhz; Tamb = 25 °C.
Fig.12 Input capacitance as a function of
gate-source voltage; typical values.
1997 Dec 01
500
handbook, halfpage
Ptot
(mW)
400
300
200
100
0
0
50
MGM290
100 Tamb (°C) 150
Fig.13 Power derating curve.
7
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
J210 | N-channel field-effect transistors | NXP Semiconductors |
J210 | N-Channel RF Amplifier | Fairchild Semiconductor |
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