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J309 데이터시트 PDF




ON Semiconductor에서 제조한 전자 부품 J309은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 J309 자료 제공

부품번호 J309 기능
기능 JFET VHF/UHF Amplifiers
제조업체 ON Semiconductor
로고 ON Semiconductor 로고


J309 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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J309 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
J309, J310
Preferred Device
JFET VHF/UHF Amplifiers
N−Channel — Depletion
Features
Pb−Free Packages are Available*
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain −Source Voltage
Gate −Source Voltage
Forward Gate Current
Total Device Dissipation @ TA = 25°C
Derate above = 25°C
VDS
VGS
IGF
PD
25 Vdc
25 Vdc
10 mAdc
350 mW
2.8 mW/°C
Junction Temperature Range
TJ −65 to +125 °C
Storage Temperature Range
Tstg −65 to +150 °C
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and
reliability may be affected.
http://onsemi.com
1 DRAIN
3
GATE
2 SOURCE
TO−92
CASE 29−11
1
2
STYLE 5
3
MARKING DIAGRAM
J3xx
AYWW G
G
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
March, 2006 − Rev. 1
1
J3xx = Device Code
xx = 09 or 10
A = Assembly Location
Y = Year
WW = Work Week
G = Pb−Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 3 of this data sheet.
Preferred devices are recommended choices for future use
and best overall value.
Publication Order Number:
J309/D




J309 pdf, 반도체, 판매, 대치품
J309, J310
100 k
10 k
1.0 k
Yfs Yfs
100
1.0 k
VGS(off) = −2.3 V =
10
Yos VGS(off) = −5.7 V =
100
0.01
1.0
0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100
ID, DRAIN CURRENT (mA)
Figure 3. Common−Source Output
Admittance and Forward Transconductance
versus Drain Current
30
24 VDS = 10 V
ID = 10 mA
TA = 25°C
18
3.0
2.4
Y11
1.8
12 Y21 1.2
6.0 Y22 0.6
Y12
0
100 200 300 500 700 1000
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 5. Common−Gate Y Parameter
Magnitude versus Frequency
10 120
RDS
96
7.0
72
Cgs
4.0 48
1.0
0
10
Cgd
9.0 8.0 7.0 6.0 5.0 4.0 3.0 2.0 1.0
VGS, GATE SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
24
0
0
Figure 4. On Resistance and Junction
Capacitance versus Gate−Source Voltage
|S21|, |S11|
0.85 0.45
|S12|, |S22|
0.060 1.00
0.79 0.39
0.73 0.33
0.67 0.27
VDS = 10 V
ID = 10 mA
TA = 25°C
S22
S21
0.048 0.98
0.036 0.96
0.024 0.94
S11
0.61 0.21
0.012 0.92
0.55 0.15
100
S12
200 300
500 700 1000
f, FREQUENCY (MHz)
0.90
Figure 6. Common−Gate S Parameter
Magnitude versus Frequency
q21, q11
180° 50°
170° 40°
160° 30°
150° 20°
140° 10°
130° 0°
100
q12, q22
−2 0° 87°
q22 −20 °
−40 ° 86°
q21 −60 °
−80 ° 85°
−100 °
q12
q11
VDS = 10 V
ID = 10 mA
TA = 25°C
200 300 500 700
f, FREQUENCY (MHz)
−120 °
−140 °
−160 °
−180 °
−200 °
1000
84°
83°
82°
Figure 7. Common−Gate Y Parameter
Phase−Angle versus Frequency
q11, q12
−20 ° 120°
q11
−40 ° 100° q21
−60 ° 80°
q22
q21, q22
0
−20 °
−40 °
−80 ° 60°
q12
−100 ° 40°
−120 ° 20°
100
q21 −60 °
VDS = 10 V
ID = 10 mA
TA = 25°C
q11
200 300 500 700
f, FREQUENCY (MHz)
−80 °
−100 °
1000
Figure 8. S Parameter Phase−Angle
versus Frequency
http://onsemi.com
4

4페이지












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