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J309 데이터시트 PDF




Linear Integrated Systems에서 제조한 전자 부품 J309은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 J309 자료 제공

부품번호 J309 기능
기능 SINGLE N-CHANNEL HIGH FREQUENCY JFET
제조업체 Linear Integrated Systems
로고 Linear Integrated Systems 로고


J309 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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J309 데이터시트, 핀배열, 회로
Linear Integrated Systems
U/J/SST308
SERIES
SINGLE N-CHANNEL HIGH
FREQUENCY JFET
FEATURES
Direct Replacement For SILICONIX U/J/SST308 SERIES
OUTSTANDING HIGH FREQUENCY GAIN
LOW HIGH FREQUENCY NOISE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1
Gpg = 11.5dB
NF = 2.7dB
@ 25 °C (unless otherwise stated)
Maximum Temperatures
Storage Temperature
-55 to 150°C
Junction Operating Temperature
-55 to 135°C
Maximum Power Dissipation
Continuous Power Dissipation (J/SST)
350mW
Continuous Power Dissipation (U)
500mW
Maximum Currents
Gate Current (J/SST)
10mA
Gate Current (U)
20mA
Maximum Voltages
Gate to Drain
-25V
Gate to Source
-25V
TO-18
BOTTOM VIEW
D 2 3G
S1
J SERIES
TO-92
BOTTOM VIEW
DSG
123
SST SERIES
SOT-23
TOP VIEW
D1
S2
3G
COMMON ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25 °C (unless otherwise stated)
SYMBOL CHARACTERISTIC
MIN TYP MAX UNIT
BVGSS
VGS(F)
IG
rDS(on)
en
NF
Gpg
Gate to Source Breakdown Voltage
-25
Gate to Source Forward Voltage
0.7
Gate Operating Current
-15
Drain to Source On Resistance
35
Equivalent Noise Voltage
6
Noise Figure
f = 105MHz
f = 450MHz
1.5
2.7
Power Gain2
f = 105MHz
f = 450MHz
16
11.5
V
1
pA
nV/Hz
dB
gfg
Forward
Transconductance
f = 105MHz
f = 450MHz
gog
Output Conductance
f = 105MHz
f = 450MHz
14
13
0.16
0.55
mS
CONDITIONS
IG = -1µA, VDS = 0V
IG = 10mA, VDS = 0V
VDG = 9V, ID = 10mA
VGS = 0V, ID = 1mA
VDS = 10V, ID = 10mA, f = 100Hz
VDS = 10V, ID = 10mA
Linear Integrated Systems • 4042 Clipper Court • Fremont, CA 94538 • Tel: 510 490-9160 • Fax: 510 353-0261





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