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JA101P 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 JA101P은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 JA101P 자료 제공

부품번호 JA101P 기능
기능 PNP general purpose transistor
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


JA101P 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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JA101P 데이터시트, 핀배열, 회로
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
book, halfpage
M3D186
JA101
PNP general purpose transistor
Product specification
Supersedes data of 1997 Mar 10
File under Discrete Semiconductors, SC10
1998 Aug 04




JA101P pdf, 반도체, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
PNP general purpose transistor
Product specification
JA101
CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN. TYP. MAX. UNIT
ICBO
IEBO
hFE
VCEsat
VBEsat
VBE
Cc
Ce
fT
F
collector cut-off current
emitter cut-off current
DC current gain
JA101
IE = 0; VCB = 45 V
IE = 0; VCB = 45 V; Tj = 125 °C
IC = 0; VEB = 5 V
IC = 1 mA; VCE = 5 V
135
JA101P
135
JA101Q
200
JA101R
300
collector-emitter saturation voltage IC = 10 mA; IB = 0.5 mA
IC = 100 mA; IB = 5 mA
base-emitter saturation voltage IC = 10 mA; IB = 0.5 mA
IC = 100 mA; IB = 5 mA
base-emitter voltage
IC = 2 mA; VCE = 5 V
550
collector capacitance
IE = ie = 0; VCB = 10 V; f = 1 MHz
emitter capacitance
IC = ic = 0; VEB = 0.5 V; f = 1 MHz
transition frequency
IC = 10 mA; VCE = 5 V; f = 100 MHz 100
noise figure
IC = 200 µA; VCE = 5 V; RS = 2 k;
f = 1 kHz; B = 200 Hz
500
700
850
12
130
15
4
100
600
270
400
600
300
700
6
10
nA
µA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
pF
pF
MHz
dB
1998 Aug 04
4

4페이지










JA101P 전자부품, 판매, 대치품
Philips Semiconductors
PNP general purpose transistor
NOTES
Product specification
JA101
1998 Aug 04
7

7페이지


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