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부품번호 | JA101R 기능 |
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기능 | PNP general purpose transistor | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
로고 | |||
전체 8 페이지수
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
book, halfpage
M3D186
JA101
PNP general purpose transistor
Product specification
Supersedes data of 1997 Mar 10
File under Discrete Semiconductors, SC10
1998 Aug 04
Philips Semiconductors
PNP general purpose transistor
Product specification
JA101
CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN. TYP. MAX. UNIT
ICBO
IEBO
hFE
VCEsat
VBEsat
VBE
Cc
Ce
fT
F
collector cut-off current
emitter cut-off current
DC current gain
JA101
IE = 0; VCB = −45 V
IE = 0; VCB = −45 V; Tj = 125 °C
IC = 0; VEB = −5 V
IC = −1 mA; VCE = −5 V
−
−
−
135
JA101P
135
JA101Q
200
JA101R
300
collector-emitter saturation voltage IC = −10 mA; IB = −0.5 mA
−
IC = −100 mA; IB = −5 mA
−
base-emitter saturation voltage IC = −10 mA; IB = −0.5 mA
−
IC = −100 mA; IB = −5 mA
−
base-emitter voltage
IC = −2 mA; VCE = −5 V
−550
collector capacitance
IE = ie = 0; VCB = −10 V; f = 1 MHz
−
emitter capacitance
IC = ic = 0; VEB = −0.5 V; f = 1 MHz −
transition frequency
IC = −10 mA; VCE = −5 V; f = 100 MHz 100
noise figure
IC = −200 µA; VCE = −5 V; RS = 2 kΩ; −
f = 1 kHz; B = 200 Hz
−
−
−
−
−
−
−
−
−500
−700
−850
−
−
12
130
−
−15
−4
−100
600
270
400
600
−300
−
−
−
−700
6
−
−
10
nA
µA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
pF
pF
MHz
dB
1998 Aug 04
4
4페이지 Philips Semiconductors
PNP general purpose transistor
NOTES
Product specification
JA101
1998 Aug 04
7
7페이지 | |||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
JA101 | PNP general purpose transistor | NXP Semiconductors |
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