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S30D50 데이터시트 PDF




Mospec Semiconductor에서 제조한 전자 부품 S30D50은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 S30D50 자료 제공

부품번호 S30D50 기능
기능 SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
제조업체 Mospec Semiconductor
로고 Mospec Semiconductor 로고


S30D50 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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S30D50 데이터시트, 핀배열, 회로
MOSPEC
Schottky Barrier Rectifiers
Using the Schottky Barrier principle with a Molybdenum barrier metal.
These state-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide
passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high
frequency rectification, or as free wheeling and polarity protection diodes.
Ffeatures
Low Forward Voltage.
Low Switching noise.
High Current Capacity
Guarantee Reverse Avalanche.
Guard-Ring for Stress Protection.
Low Power Loss & High efficiency.
150 Operating Junction Temperature
Low Stored Charge Majority Carrier Conduction.
Plastic Material used Carries Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
ESD: 8KV(Min.) Human-Body Model
In compliance with EU RoHs 2002/95/EC directives
S30D30 Thru S30D60
SCHOTTKY BARRIER
RECTIFIERS
30 AMPERES
30-60 VOLTS
TO-3P
MAXIMUM RATINGS
Characteristic
S30D
Symbol
Unit
30 35 40 45 50 60
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM 30 35 40 45 50 60
VR
V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS) 21
Average Rectifier Forward Current (Per diode)
Total Device (Rated VR),TC=125
IF(AV)
Peak Repetitive Forward Current
(Rate VR, Square Wave, 20kHz)
IFM
Non-Repetitive Peak Surge Current (Surge
applied at rate load conditions halfware, single
phase, 60Hz)
IFSM
Operating and Storage Junction Temperature
Range
TJ , TSTG
25 28 32 35
15
30
30
300
-65 to +150
42
V
A
A
A
ELECTRIAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Maximum Instantaneous Forward Voltage
( IF =15 Amp TC = 25 )
( IF =15 Amp TC = 100 )
Typical Thermal Resistance junction to case
Maximum Instantaneous Reverse Current
( Rated DC Voltage, TC = 25 )
( Rated DC Voltage, TC = 125 )
Symbol
S30D
Unit
30 35 40 45 50 60
VF
Rθ j-c
0.55
0.45
2.8
0.70 V
0.60
/w
IR 0.5 mA
30
DIM MILLIMETERS
MIN MAX
A 20.63 22.38
B 15.38 16.20
C 1.90 2.70
D 5.10 6.10
E 14.81 15.22
F 11.72 12.84
G 4.20 4.50
H 1.82 2.46
I 2.92 3.23
J 0.89 1.53
K 5.26 5.66
L 18.50 21.50
M 4.68 5.36
N 2.40 2.80
O 3.25 3.65
P 0.55 0.70
Common Cathod
Suffix " C "
Common Anode
Suffix " A "
Double
Suffix " D "





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