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JANKCE1N5802 데이터시트 PDF




Microsemi Corporation에서 제조한 전자 부품 JANKCE1N5802은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 JANKCE1N5802 자료 제공

부품번호 JANKCE1N5802 기능
기능 2.5 AMPS FAST RECOVERY RECTIFIER CHIP 50 - 150 VOLTS
제조업체 Microsemi Corporation
로고 Microsemi Corporation 로고


JANKCE1N5802 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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JANKCE1N5802 데이터시트, 핀배열, 회로
7516 Central Industrial Drive
Riviera Beach, Florida
33404
PHONE: (561) 842-0305
FAX: (561) 845-7813
FEATURES:
Chip Outline Dimensions: 41 x 41 mils
Chip Thickness: 8 to 12 mils
Anode Metallization: Aluminum
Metallization Thickness: 50,000Ã Nominal
Bonding Area: 23 x 23 mils Min.
Back Metallization: Gold
Junction Passivated with Thermal Silicon Dioxide - Planar Design
Backside Available with Solderable Ag Backside as JANHCF or
JANKCF
TYPE
JANHCE1N5802
JANHCE1N5804
JANHCE1N5806
JANKCE1N5802
JANKCE1N5804
JANKCE1N5806
VR
50V
100V
150V
50V
100V
150V
VBR
60V
110V
160V
60V
110V
160V
IO Tj = 75° C
2.5A
2.5A
2.5A
2.5A
2.5A
2.5A
1N5802
1N5804
1N5806
JANHCE and JANKCE
JANHCF and JANKCF
2.5 AMPS
FAST RECOVERY
RECTIFIER CHIP
50 - 150 VOLTS
Chip Type: RH
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
CHARACTERISTIC
Reverse Current
Rated VR, TC = 25° C
Reverse Current
Rated VR, TC = 100° C
Forward Voltage Drop IF = 1A, TC = 25° C
Junction Capacitance @ VR = 10V
SYMBOL TYPICAL
IR .01
IR 1.0
VF .80
Cj 15
MAX.
1
50
.875
25
UNITS
µA
µA
Volts
Pf
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS:
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Reverse Recovery Time
IF = 0.5A, IR = 0.5A, IRR = 0.05A
Trr
TYPICAL
20
Forward Recovery Voltage @ 1A Trr = 8ns
Forward Recovery Time
IFM = 250 mA
Vrr 1.5
MAX.
25
2.2
15
UNITS
ns
V
ns
MSC1344.PDF 02-23-99





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