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부품번호 | JANTXV2N2222A 기능 |
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기능 | SMALL SIGNAL BIPOLAR NPN SILICON | ||
제조업체 | Microsemi Corporation | ||
로고 | |||
전체 9 페이지수
580 Pleasant St.
Watertown, MA 02172
PH: (617) 926-0404
FAX: (617) 924-1235
Features
• Meets MIL 19500 /255
• Collector - Base Voltage 75 V
• Collector - Current 800 mA
• High Speed, Medium Current Bipolar Transistor
TO-18
2N2222A
SWITCHING
TRANSISTOR
JAN, JANTX, JANTXV
SMALL SIGNAL
BIPOLAR
NPN SILICON
COLLECTOR
BASE
EMITTER
Maximum Ratings
RATING
Collector - Emitter Voltage
Collector - Base Voltage
Emitter - Base Voltage
Collector Current -- Continuous
Total Device Dissipation @ TA = 25 °C
Derate above 25 °C
Total Device Dissipation @ TC = 25 °C
Derate above 25 °C
Operating Junction&Storage Temperature Range
Thermal Characteristics
CHARACTERISTIC
Thermal Resistance, Junction to Ambient
SYMBOL
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ, Tstg
SYMBOL
Rθ JA
VALUE
50
75
6
800
500
2.85
1.8
10.3
- 65 to + 200
MAX
350
UNIT
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
mW
mW/°C
WATTS
mW/°C
°C
UNIT
°C/W
MSCO275A 01-29-98
DSW2N2222A < - > ( 33807)
2N2222A
L
MSC0275A 11-10-97
TO 18 CASE OUTLINE
19.8 MIL TYP
SQUARE
(B)
(E)
DIE CHARACTERISTICS
Back is Collector
Chip Thickness is:
10 MILS TYP
Metalization is:
Top = Al, Back = Au
DIE OUTLINE
DSW2N2222A < - > ( 33807)
4페이지 MSC0275A 11-10-97
2N2222A
BASE SATURATION vs BASE CURRENT
TJ = 25 C
1.2 1.2
1.1 1.1
IC = 500 mA
1.0 1.0
0.9
IC = 150 mA
0.9
0.8 0.8
IC = 10 mA
0.7
0.7
0.6 0.6
0.5
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
IB, BASE CURRENT (A)
0.5
100
FIGURE 5
JUNCTION CAPACITANCE
TJ = 25 C 100 kHz < f < 1 MHz
30
25
CIBO
20
15
10
COBO
5
0
.1 1 10 100
REVERSE JUNCTION VOLTAGE (V)
FIGURE 6
DSW2N2222A < - > ( 33807)
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JANTXV2N2222A | SMALL SIGNAL BIPOLAR NPN SILICON | Microsemi Corporation |
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