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JDV2S02E 데이터시트 PDF




Toshiba Semiconductor에서 제조한 전자 부품 JDV2S02E은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 JDV2S02E 자료 제공

부품번호 JDV2S02E 기능
기능 VCO for UHF band
제조업체 Toshiba Semiconductor
로고 Toshiba Semiconductor 로고


JDV2S02E 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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JDV2S02E 데이터시트, 핀배열, 회로
VCO for UHF band
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
JDV2S02E
· Small Package
· High Capacitance Ratio: C1V/C4V = 2.0 (typ.)
· Low Series Resistance: rs = 0.60 (typ.)
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Reverse voltage
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
VR
Tj
Tstg
Rating
10
125
-55~125
Unit
V
°C
°C
JDV2S02E
Unit: mm
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Reverse voltage
Reverse current
Capacitance
Capacitance ratio
Series resistance
VR
IR
C1V
C4V
C1V/C4V
rs
IR = 1 mA
VR = 10 V
VR = 1 V, f = 1 MHz
VR = 4 V, f = 1 MHz
¾
VR = 1 V, f = 470 MHz
Note: Signal level when capacitance is measured. Vsig = 100 mVrms
Marking
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
1-1G1A
Weight: 0.0014 g
Min Typ. Max Unit
10 ¾ ¾
¾¾
3
1.8 2.05 2.3
0.83 1.03 1.23
1.8 2 ¾
¾ 0.6 0.8
V
nA
pF
¾
W
FB
1 2002-01-16




JDV2S02E pdf, 반도체, 판매, 대치품
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