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K4X56163PE-LG 데이터시트 PDF




Samsung semiconductor에서 제조한 전자 부품 K4X56163PE-LG은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 K4X56163PE-LG 자료 제공

부품번호 K4X56163PE-LG 기능
기능 16M x16 Mobile DDR SDRAM
제조업체 Samsung semiconductor
로고 Samsung semiconductor 로고


K4X56163PE-LG 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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K4X56163PE-LG 데이터시트, 핀배열, 회로
K4X56163PE-L(F)G
Mobile-DDR SDRAM
16M x16 Mobile DDR SDRAM
FEATURES
• 1.8V power supply, 1.8V I/O power
• Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle
• Bidirectional data strobe(DQS)
• Four banks operation
• Differential clock inputs(CK and CK)
• MRS cycle with address key programs
- CAS Latency ( 3 )
- Burst Length ( 2, 4, 8 )
- Burst Type (Sequential & Interleave)
- Partial Self Refresh Type ( Full, 1/2, 1/4 array )
- Internal Temperature Compensated Self Refresh
- Driver strength ( 1, 1/2, 1/4, 1/8 )
• All inputs except data & DM are sampled at the positive going edge of the system clock(CK).
• Data I/O transactions on both edges of data strobe, DM for masking.
• Edge aligned data output, center aligned data input.
• No DLL; CK to DQS is not synchronized.
• LDM/UDM for write masking only.
• 7.8us auto refresh duty cycle.
• CSP package.
Operating Frequency
Speed @CL3
*CL : CAS Latency
DDR200
100Mhz
DDR133
66Mhz
Column address configuration
Organization
16Mx16
DM is internally loaded to match DQ and DQS identically.
Row Address
A0 ~ A12
Column Address
A0-A8
1 March 2004




K4X56163PE-LG pdf, 반도체, 판매, 대치품
K4X56163PE-L(F)G
Functional Description
Simplified State Diagram
Mobile-DDR SDRAM
EXTENDED
MODE
REGISTER
SET
MODE
REGISTER
SET
EMRS
MRS
PARTIAL
SELF
REFRESH SELF
REFRESH
REFS
REFSX
IDLE
REFA
AUTO
REFRESH
CKEL
POWER
DOWN
CKEH
ACT
CKEH
POWER
DOWN
CKEL
WRITE
ROW
ACTIVE
BURST STOP
READ
WRITEA
WRITE
WRITEA READA
READ
READ
POWER
APPLIED
WRITEA
WRITEA
READA
PRE
PRE
PRE
READA
READA
POWER
ON
PRE
PRE
CHARGE
Figure.1 State diagram
Automatic Sequence
Command Sequence
4 March 2004

4페이지










K4X56163PE-LG 전자부품, 판매, 대치품
K4X56163PE-L(F)G
Burst address ordering for burst length
Burst
Length
2
4
8
Starting Address(A2, A1, A0)
xx0
xx1
x00
x01
x10
x11
000
001
010
011
100
101
110
111
Mobile-DDR SDRAM
Sequential Mode
0, 1
1, 0
0, 1, 2, 3
1, 2, 3, 0
2, 3, 0, 1
3, 0, 1, 2
0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 0
2, 3, 4, 5, 6, 7, 0, 1
3, 4, 5, 6, 7, 0, 1, 2
4, 5, 6, 7, 0, 1, 2, 3
5, 6, 7, 0, 1, 2, 3, 4
6, 7, 0, 1, 2, 3, 4, 5
7, 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6
Interleave Mode
0, 1
1, 0
0, 1, 2, 3
1, 0, 3, 2
2, 3, 0, 1
3, 2, 1, 0
0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7
1, 0, 3, 2, 5, 4, 7, 6
2, 3, 0, 1, 6, 7, 4, 5
3, 2, 1, 0, 7, 6, 5, 4
4, 5, 6, 7, 0, 1, 2, 3
5, 4, 7, 6, 1, 0, 3, 2
6, 7, 4, 5, 2, 3, 0, 1
7, 6, 5, 4, 3, 2, 1, 0
7 March 2004

7페이지


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