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K6F1008V2C-YF55 데이터시트 PDF




Samsung semiconductor에서 제조한 전자 부품 K6F1008V2C-YF55은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 K6F1008V2C-YF55 자료 제공

부품번호 K6F1008V2C-YF55 기능
기능 128Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM
제조업체 Samsung semiconductor
로고 Samsung semiconductor 로고


K6F1008V2C-YF55 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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K6F1008V2C-YF55 데이터시트, 핀배열, 회로
K6F1008V2C Family
Document Title
128Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM
CMOS SRAM
Revision History
Revision No. History
0.0 Initial Draft
0.1 Revise
- Changed Package Type
: 48(36)-TBGA-6.00x7.00 to 32-TSOP1-0813.4F
1.0 Finalize
Draft Data
November 27, 2001
December 13, 2001
Remark
Preliminary
Preliminary
June 12, 2002
Final
The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserves the right to change the specifications and
products. SAMSUNG Electronics will answer to your questions. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.
1 Revision 1.0
June 2002




K6F1008V2C-YF55 pdf, 반도체, 판매, 대치품
K6F1008V2C Family
CMOS SRAM
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS1)
Item
Symbol
Supply voltage
Vcc
Ground
Vss
Input high voltage
VIH
Input low voltage
VIL
Note :
1. TA=-40 to 85°C, otherwise specified
2. Overshoot: Vcc+2.0V in case of pulse width 20ns.
3. Undershoot: -2.0V in case of pulse width 20ns.
4. Overshoot and undershoot are sampled, not 100% tested.
Min
3.0
0
2.2
-0.33)
CAPACITANCE1) (f=1MHz, TA=25°C)
Item
Input capacitance
Input/Output capacitance
1. Capacitance is sampled, not 100% tested
Symbol
CIN
CIO
Test Condition
VIN=0V
VIO=0V
Typ Max Unit
3.3 3.6
V
00V
- Vcc+0.32) V
- 0.6 V
Min Max Unit
- 8 pF
- 10 pF
DC AND OPERATING CHARACTERISTICS
Item
Input leakage current
Output leakage current
Average operating current
Symbol
ILI VIN=Vss to Vcc
Test Conditions
Min Typ1 Max Unit
-1 - 1 µA
ILO CS1=VIH or CS2=VIL or OE=VIH or WE=VIL, VIO=Vss to Vcc
-1 - 1 µA
ICC1 Cycle time=1µs, 100%duty, IIO=0mA, CS10.2V, CS2Vcc-0.2V, VIN0.2V - - 3 mA
or VINVCC-0.2V
ICC2 Cycle time=Min, 100% duty, IIO=0mA, CS1=VIL, CS2=VIH, VIN=VIH or VIL
- - 35 mA
Output low voltage
VOL IOL=2.1mA
- - 0.4 V
Output high voltage
VOH IOH=-1.0mA
2.4 - - V
Standby Current(CMOS)
ISB1 CS1Vcc-0.2V, CS2Vcc-0.2V or CS20.2V, Other inputs=0~Vcc - 0.5 52) µA
1. Typical values are measured at VCC=3.3V, TA=25°C and not 100% tested.
2. Super low power product=1µA with special handling.
4 Revision 1.0
June 2002

4페이지










K6F1008V2C-YF55 전자부품, 판매, 대치품
K6F1008V2C Family
CMOS SRAM
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1) (WE Controlled)
Address
CS1
CS2
WE
Data in
Data out
tAS(3)
Data Undefined
tWC
tCW(2)
tWR(4)
tAW
tCW(2)
tWP(1)
tWHZ
tDW tDH
Data Valid
tOW
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2) (CS1 Controlled)
Address
CS1
tAS(3)
tWC
tCW(2)
tAW
tWR(4)
CS2
tWP(1)
WE
Data in
tDW tDH
Data Valid
Data out
High-Z
High-Z
7 Revision 1.0
June 2002

7페이지


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다운로드[ K6F1008V2C-YF55.PDF 데이터시트 ]

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