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K6F2008V2E-YF70 데이터시트 PDF




Samsung semiconductor에서 제조한 전자 부품 K6F2008V2E-YF70은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 K6F2008V2E-YF70 자료 제공

부품번호 K6F2008V2E-YF70 기능
기능 256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
제조업체 Samsung semiconductor
로고 Samsung semiconductor 로고


K6F2008V2E-YF70 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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K6F2008V2E-YF70 데이터시트, 핀배열, 회로
K6F2008V2E Family
CMOS SRAM
Document Title
256Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
Revision History
Revision No. History
0.0 Initial draft
Draft Date
July 19 , 2001
Remark
Preliminary
1.0 Finalize
September 27, 2001 Final
1.1 Revised
May 13, 2003
- Added Lead Free(LF) product for 32-TSOP1-0813.4F(LF) package.
Final
The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the specifications and
products. SAMSUNG Electronics will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.
1 Revision 1.1
May 2003




K6F2008V2E-YF70 pdf, 반도체, 판매, 대치품
K6F2008V2E Family
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS1)
Item
Symbol
Supply voltage
Vcc
Ground
Vss
Input high voltage
VIH
Input low voltage
VIL
Note:
1. Industrial Product: TA=-40 to 85°C, unless otherwise specified.
2. Overshoot: Vcc+2.0V in case of pulse width20ns.
3. Undershoot: -2.0V in case of pulse width20ns.
4. Overshoot and undershoot are sampled, not 100% tested.
Min
3.0
0
2.2
-0.23)
CMOS SRAM
Typ.
3.3
0
-
-
Max
3.6
0
Vcc+0.22)
0.6
Unit
V
V
V
V
CAPACITANCE1) (f=1MHz, TA=25°C)
Item
Symbol
Input capacitance
Input/Output capacitance
CIN
CIO
1. Capacitance is sampled, not 100% tested
Test Condition
VIN=0V
VIO=0V
Min Max Unit
- 8 pF
- 10 pF
DC AND OPERATING CHARACTERISTICS
Item
Input leakage current
Output leakage current
Average operating current
Symbol
Test Conditions
Min Typ1) Max Unit
ILI VIN=Vss to Vcc
-1 -
1 µA
ILO CS1=VIH or CS2=VIL or OE=VIH or WE=VIL, VIO=Vss to Vcc -1
-
1 µA
ICC1
Cycle time=1µs, 100% duty, IIO=0mA, CS10.2V,
CS2VCC-0.2V, VIN0.2V or VINVCC-0.2V
- - 3 mA
ICC2
Cycle time=Min, 100% duty, IIO=0mA, CS1=VIL,
CS2=VIH, VIN=VIL or VIH
- - 35 mA
Output low voltage
Output high voltage
Standby Current(CMOS)
VOL IOL=2.1mA
VOH IOH =-1.0mA
Other inputs=Vss to Vcc
ISB1 1) CS1Vcc-0.2V, CS2Vcc-0.2V(CS1 controlled) or
2) 0VCS20.2V CS2 controlled)
- - 0.4 V
2.4 -
-V
- 0.5 10 µA
1. Typical value are measured at VCC=3.3V, TA=25°C, and not 100% tested.
4 Revision 1.1
May 2003

4페이지










K6F2008V2E-YF70 전자부품, 판매, 대치품
K6F2008V2E Family
CMOS SRAM
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1) (WE Controlled)
Address
CS1
CS2
tWC
tCW(2)
tAW
tWR(4)
WE
Data in
Data out
tAS(3)
Data Undefined
tWHZ
tWP(1)
tDW tDH
Data Valid
tOW
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2) (CS1 Controlled)
Address
tAS(3)
tWC
tCW(2)
CS1
tAW
CS2
tWP(1)
WE
Data in
tWR(4)
tDW tDH
Data Valid
Data out
High-Z
High-Z
7 Revision 1.1
May 2003

7페이지


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다운로드[ K6F2008V2E-YF70.PDF 데이터시트 ]

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