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K6F2016U4E-F 데이터시트 PDF




Samsung semiconductor에서 제조한 전자 부품 K6F2016U4E-F은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 K6F2016U4E-F 자료 제공

부품번호 K6F2016U4E-F 기능
기능 128K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
제조업체 Samsung semiconductor
로고 Samsung semiconductor 로고


K6F2016U4E-F 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 9 페이지수

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K6F2016U4E-F 데이터시트, 핀배열, 회로
K6F2016U4E Family
CMOS SRAM
Document Title
128K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
Revision History
Revision No. History
0.0 Initial Draft
1.0 Finalize
- Change ICC2 from 21 to 26mA for 55ns product.
- Change ICC2 from 17 to 20mA for 70ns product.
- Remove "A1 Index Mark" of 48-TBGA package bottom side
2.0 Revise
- Changed 48-TBGA vertical dimension
E1(Typical) 0.55mm to 0.58mm
E2(Typical) 0.35mm to 0.32mm
Draft Date
February 21, 2001
Remark
Preliminary
April 30, 2001
Final
September 27, 2001 Final
The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the specifications and
products. SAMSUNG Electronics will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.
- 1 - Revision 2.0
September 2001




K6F2016U4E-F pdf, 반도체, 판매, 대치품
K6F2016U4E Family
CMOS SRAM
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS1)
Item
Supply voltage
Ground
Input high voltage
Input low voltage
Note:
1. TA=-40 to 85°C, otherwise specified.
2. Overshoot: Vcc+2.0V in case of pulse width 20ns.
3. Undershoot: -2.0V in case of pulse width 20ns.
4. Overshoot and undershoot are sampled, not 100% tested.
Symbol
Vcc
Vss
VIH
VIL
Min
2.7
0
2.2
-0.23)
Typ Max Unit
3.0 3.3
V
00V
- Vcc+0.22) V
- 0.6 V
CAPACITANCE1) (f=1MHz, TA=25°C)
Item
Symbol
Input capacitance
CIN
Input/Output capacitance
CIO
1. Capacitance is sampled, not 100% tested.
Test Condition
VIN=0V
VIO=0V
Min Max Unit
- 8 pF
- 10 pF
DC AND OPERATING CHARACTERISTICS
Item
Input leakage current
Output leakage current
Average operating current
Output low voltage
Output high voltage
Standby Current (CMOS)
Symbol
Test Conditions
ILI VIN=Vss to Vcc
ILO CS=VIH or OE=VIH or WE=VIL, VIO=Vss to Vcc
ICC1
Cycle time=1µs, 100%duty, IIO=0mA, CS0.2V,
LB0.2V or/and UB0.2V, VIN0.2V or VINVCC-0.2V
Min Typ1) Max Unit
-1 -
1 µA
-1 -
1 µA
- - 2 mA
ICC2 Cycle time=Min, IIO=0mA, 100% duty, CS=VIL,
LB=VIL or/and UB=VIL, VIN=VIL or VIH
70ns
55ns
-
-
- 20 mA
- 26 mA
VOL IOL = 2.1mA
- - 0.4 V
VOH IOH = -1.0mA
2.4 -
-V
Other input =0~Vcc
ISB1 1) CSVcc-0.2V(CS controlled) or
2) LB=UBVcc-0.2V, CS0.2V(LB/UB controlled)
- 0.5 10 µA
1. Typical values are measured at VCC=3.0V, TA=25°C and not 100% tested.
- 4 - Revision 2.0
September 2001

4페이지










K6F2016U4E-F 전자부품, 판매, 대치품
K6F2016U4E Family
CMOS SRAM
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1) (WE Controlled)
Address
CS
UB, LB
WE
Data in
Data out
tAS(3)
High-Z
Data Undefined
tWC
tCW(2)
tAW
tBW
tWP(1)
tWR(4)
tWHZ
tDW tDH
Data Valid
tOW
High-Z
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2) (CS Controlled)
Address
CS
UB, LB
tAS(3)
tWC
tCW(2)
tAW
tBW
tWP(1)
tWR(4)
WE
Data in
tDW tDH
Data Valid
Data out
High-Z
High-Z
- 7 - Revision 2.0
September 2001

7페이지


구       성 총 9 페이지수
다운로드[ K6F2016U4E-F.PDF 데이터시트 ]

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