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K6F3216T6M 데이터시트 PDF




Samsung semiconductor에서 제조한 전자 부품 K6F3216T6M은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 K6F3216T6M 자료 제공

부품번호 K6F3216T6M 기능
기능 2M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
제조업체 Samsung semiconductor
로고 Samsung semiconductor 로고


K6F3216T6M 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 9 페이지수

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K6F3216T6M 데이터시트, 핀배열, 회로
K6F3216T6M Family
CMOS SRAM
Document Title
2M x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM
Revision History
Revision No. History
1.0
Draft Date
November 4, 2003
Remark
Final
The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the specifications and
products. SAMSUNG Electronics will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.
1 Revision 1.0
November 2002




K6F3216T6M pdf, 반도체, 판매, 대치품
K6F3216T6M Family
CMOS SRAM
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS1)
Item
Symbol
Supply voltage
Vcc
Ground
Vss
Input high voltage
VIH
Input low voltage
VIL
Note:
1. TA=-40 to 85°C, otherwise specified
2. Overshoot: VCC+2.0V in case of pulse width 20ns.
3. Undershoot: -2.0V in case of pulse width 20ns.
4. Overshoot and Undershoot are sampled, not 100% tested.
Min
2.7
0
2.2
-0.23)
Typ
3.0/3.3
0
-
-
Max
3.6
0
Vcc+0.32)
0.6
Unit
V
V
V
V
CAPACITANCE1) (f=1MHz, TA=25°C)
Item
Input capacitance
Input/Output capacitance
1. Capacitance is sampled, not 100% tested
Symbol
CIN
CIO
Test Condition
VIN=0V
VIO=0V
Min Max Unit
- 8 pF
- 10 pF
DC AND OPERATING CHARACTERISTICS
Item
Input leakage current
Output leakage current
Average operating current
Output low voltage
Output high voltage
Standby Current (CMOS)
Symbol
Test Conditions
Min
ILI VIN=Vss to Vcc
-1
ILO CS1=VIH or CS2=VIL or OE=VIH or WE=VIL or LB=UB=VIH, -1
VIO=Vss to Vcc
ICC1 Cycle time=1µs, 100%duty, IIO=0mA, CS10.2V, LB0.2V
-
or/and UB0.2V, CS2Vcc-0.2V, VIN0.2V or VINVCC-0.2V
ICC2
Cycle time=Min, IIO=0mA, 100% duty, CS1=VIL,
CS2=VIH, LB=VIL or/and UB=VIL, VIN=VIL or VIH
70ns
55ns
-
-
VOL IOL = 2.1mA
-
VOH IOH = -1.0mA
2.4
Other input =0~Vcc
ISB1 1) CS1Vcc-0.2V, CS2Vcc-0.2V(CS1 controlled) or
2) 0VCS20.2V(CS2 controlled)
-
Typ1) Max
-1
-1
-7
- 35
- 40
- 0.4
--
- 40
Unit
µA
µA
mA
mA
V
V
µA
1. Typical values are measured at VCC=3.0V, TA=25°C and not 100% tested.
4 Revision 1.0
November 2002

4페이지










K6F3216T6M 전자부품, 판매, 대치품
K6F3216T6M Family
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1) (WE Controlled)
Address
CS1
tWC
tCW(2)
CMOS SRAM
tWR(4)
CS2
UB, LB
WE
Data in
Data out
tAS(3)
High-Z
Data Undefined
tAW
tBW
tWP(1)
tWHZ
tDW tDH
Data Valid
tOW
High-Z
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2) (CS1 Controlled)
Address
tWC
CS1
CS2
tAS(3)
tCW(2)
tAW
tWR(4)
UB, LB
WE
Data in
tBW
tWP(1)
tDW tDH
Data Valid
Data out
High-Z
High-Z
7 Revision 1.0
November 2002

7페이지


구       성 총 9 페이지수
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