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K6T1008C2E-GF55 데이터시트 PDF




Samsung semiconductor에서 제조한 전자 부품 K6T1008C2E-GF55은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 K6T1008C2E-GF55 자료 제공

부품번호 K6T1008C2E-GF55 기능
기능 128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
제조업체 Samsung semiconductor
로고 Samsung semiconductor 로고


K6T1008C2E-GF55 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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K6T1008C2E-GF55 데이터시트, 핀배열, 회로
K6T1008C2E Family
Document Title
128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
Revision History
Revision No. History
0.0 Design target
1.0 Finalize
- Improve tWP form 55ns to 50ns for 70ns product.
- Remove 55ns speed bin from industrial product.
1.01
Errata correction
2.0 Revise
3.0 Revise
- Add 55ns parts to industrial products.
CMOS SRAM
Draft Data
October 12, 1998
August 30, 1999
Remark
Preliminary
Final
December 1, 1999
February 14, 2000
March 3, 2000
Final
Final
The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserves the right to change the specifications and
products. SAMSUNG Electronics will answer to your questions. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.
1 Revision 3.0
March 2000




K6T1008C2E-GF55 pdf, 반도체, 판매, 대치품
K6T1008C2E Family
CMOS SRAM
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS1)
Item
Symbol
Product
Supply voltage
Vcc
K6T1008C2E Family
Ground
Vss
All Family
Input high voltage
VIH
K6T1008C2E Family
Input low voltage
VIL
K6T1008C2E Family
Note:
1. Commercial Product: TA=0 to 70°C
Industrial Product: TA=-40 to 85°C, otherwise specified.
2. Overshoot: Vcc+3.0V in case of pulse width30ns.
3. Undershoot: -3.0V in case of pulse width30ns.
4. Overshoot and undershoot are sampled, not 100% tested.
Min
4.5
0
2.2
-0.53)
Typ Max Unit
5.0 5.5 V
0 0V
- Vcc+0.52) V
- 0.8 V
CAPACITANCE1) (f=1MHz, TA=25°C)
Item
Input capacitance
Input/Output capacitance
1. Capacitance is sampled, not 100% tested
Symbol
CIN
CIO
Test Condition
VIN=0V
VIO=0V
Min Max Unit
- 6 pF
- 8 pF
DC AND OPERATING CHARACTERISTICS
Item
Symbol
Test Conditions
Input leakage current
ILI VIN=Vss to Vcc
Output leakage current
ILO CS1=VIH or CS2=VIL or OE=VIH or WE=VIL, VIO=Vss to Vcc
Operating power supply current ICC IIO=0mA, CS1=VIL, CS2=VIH, VIN=VIH or VIL, Read
Min Typ Max Unit
-1 - 1 µA
-1 - 1 µA
- - 10 mA
Average operating current
ICC1 Cycle time=1µs, 100%duty, IIO=0mA, CS10.2V, CS2Vcc-0.2V, VIN0.2V - - 7 mA
or VINVCC-0.2V
ICC2 Cycle time=Min, 100% duty, IIO=0mA, CS1=VIL, CS2=VIH, VIN=VIH or VIL
- - 50 mA
Output low voltage
VOL IOL=2.1mA
- - 0.4 V
Output high voltage
VOH IOH=-1.0mA
2.4 - - V
Standby Current(TTL)
ISB CS1=VIH, CS2=VIL, Other inputs=VIH or VIL
- - 3 mA
Standby Current(CMOS)
ISB1 CS1Vcc-0.2V, CS2Vcc-0.2V or CS20.2V, Other inputs=0~Vcc - - 501) µA
1. 50µA for Low power product, in case of Low Low power products are comercial=10µA, industrial=15µA.
4 Revision 3.0
March 2000

4페이지










K6T1008C2E-GF55 전자부품, 판매, 대치품
K6T1008C2E Family
CMOS SRAM
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1) (WE Controlled)
Address
CS1
CS2
WE
Data in
Data out
tAS(3)
Data Undefined
tWC
tCW(2)
tWR(4)
tAW
tCW(2)
tWP(1)
tWHZ
tDW tDH
Data Valid
tOW
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2) (CS1 Controlled)
Address
CS1
tAS(3)
tWC
tCW(2)
tAW
tWR(4)
CS2
tWP(1)
WE
Data in
tDW tDH
Data Valid
Data out
High-Z
High-Z
7 Revision 3.0
March 2000

7페이지


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다운로드[ K6T1008C2E-GF55.PDF 데이터시트 ]

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