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K6X4016C3F-TF70 데이터시트 PDF




Samsung semiconductor에서 제조한 전자 부품 K6X4016C3F-TF70은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 K6X4016C3F-TF70 자료 제공

부품번호 K6X4016C3F-TF70 기능
기능 256Kx16 bit Low Power full CMOS Static RAM
제조업체 Samsung semiconductor
로고 Samsung semiconductor 로고


K6X4016C3F-TF70 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 9 페이지수

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K6X4016C3F-TF70 데이터시트, 핀배열, 회로
K6X4016C3F Family
Document Title
256Kx16 bit Low Power full CMOS Static RAM
Revision History
Revision No. History
0.0 Initial draft
0.1 Revised
Added Commercial Product.
Deleted 44-TSOP2-400R Package Type.
1.0 Finalized
- Changed ICC from 10mA to 5mA
- Changed ICC1 from 10mA to 7mA
- Changed ICC2 from 50mA to 30mA
- Changed ISB from 3mA to 0.4mA
- Changed IDR(Commercial) from 15µA to 12µA
- Changed IDR(industrial) from 20µA to 12µA
- Changed IDR(Automotive) from 30µA to 25µA
CMOS SRAM
Draft Date
July 26, 2002
Remark
Preliminary
November 29, 2002 Preliminary
September 16, 2003 final
The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the specifications and
products. SAMSUNG Electronics will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.
1 Revision 1.0
September 2003




K6X4016C3F-TF70 pdf, 반도체, 판매, 대치품
K6X4016C3F Family
CMOS SRAM
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS1)
Item
Supply voltage
Ground
Input high voltage
Input low voltage
Symbol
Vcc
Vss
VIH
VIL
Note:
1. Commercial Product: TA=0 to 70°C, otherwise specified
Industrial Product: TA=-40 to 85°C, otherwise specified
Automotive Product TA=-40 to 125°C, otherwise specified
2. Overshoot: VCC+3.0V in case of pulse width 30ns
3. Undershoot: -3.0V in case of pulse width 30ns
4. Overshoot and undershoot are sampled, not 100% tested
Min
4.5
0
2.2
-0.53)
CAPACITANCE1) (f=1MHz, TA=25°C)
Item
Input capacitance
Input/Output capacitance
1. Capacitance is sampled, not 100% tested
Symbol
CIN
CIO
Test Condition
VIN=0V
VIO=0V
Typ Max
5.0 5.5
00
- Vcc+0.52)
- 0.8
Min Max
-8
- 10
Unit
V
V
V
V
Unit
pF
pF
DC AND OPERATING CHARACTERISTICS
Item
Symbol
Test Conditions
Input leakage current
ILI VIN=Vss to Vcc
Output leakage current
ILO CS=VIH or OE=VIH or WE=VIL, VIO=Vss to Vcc
Operating power supply current
Average operating current
ICC IIO=0mA, CS=VIL, VIN=VIL or VIH, Read
ICC1
Cycle time=1µs, 100% duty, IIO=0mA
CS0.2V, VIN0.2V or VINVcc-0.2V
ICC2 Cycle time=Min, 100% duty, IIO=0mA, CS=VIL,
VIN=VIH or VIL
Output low voltage
VOL IOL=2.1mA
Output high voltage
VOH IOH=-1.0mA
Standby Current(TTL)
ISB CS=VIH, Other inputs = VIL or VIH
Standby Current(CMOS)
ISB1 CSVcc-0.2V, Other inputs=0~Vcc
K6X4016C3F-B
K6X4016C3F-F
K6X4016C3F-Q
Min Typ Max Unit
-1 - 1 µA
-1 - 1 µA
- - 5 mA
- - 7 mA
- - 30 mA
- - 0.4 V
2.4 - - V
- - 0.4 mA
- - 20 µA
--
- - 30 µA
4 Revision 1.0
September 2003

4페이지










K6X4016C3F-TF70 전자부품, 판매, 대치품
K6X4016C3F Family
CMOS SRAM
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1) (WE Controlled)
Address
CS
UB, LB
WE
Data in
Data out
tAS(3)
High-Z
Data Undefined
tWC
tCW(2)
tAW
tBW
tWP(1)
tWR(4)
tWHZ
tDW tDH
Data Valid
tOW
High-Z
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2) (CS Controlled)
Address
CS
UB, LB
tAS(3)
tWC
tCW(2)
tAW
tBW
tWP(1)
tWR(4)
WE
Data in
tDW tDH
Data Valid
Data out
High-Z
High-Z
7 Revision 1.0
September 2003

7페이지


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다운로드[ K6X4016C3F-TF70.PDF 데이터시트 ]

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