Datasheet.kr   

K6X8008T2B-F 데이터시트 PDF




Samsung semiconductor에서 제조한 전자 부품 K6X8008T2B-F은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 K6X8008T2B-F 자료 제공

부품번호 K6X8008T2B-F 기능
기능 CMOS SRAM
제조업체 Samsung semiconductor
로고 Samsung semiconductor 로고


K6X8008T2B-F 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 9 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

K6X8008T2B-F 데이터시트, 핀배열, 회로
K6X8008T2B Family
Document Title
1Mx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM
CMOS SRAM
Revision History
Revision No. History
0.0 Initial draft
0.1 Revised
- Deleted 44-TSOP2-400R package type.
1.0 Finalized
- Changed ICC2 from 40mA to 30mA
- Changed ISB1(industrial) from 30µA to 15µA
- Changed ISB1(Automotive) from 40µA to 25µA
Draft Date
October 31, 2002
Remark
Preliminary
December 11, 2002 Preliminary
September 16, 2003 Final
The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the specifications and
products. SAMSUNG Electronics will answer to yourquestions about device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.
1 Revision 1.0
September 2003




K6X8008T2B-F pdf, 반도체, 판매, 대치품
K6X8008T2B Family
CMOS SRAM
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS1)
Item
Symbol
Product
Supply voltage
Vcc
K6X8008T2B Family
Ground
Vss
All Family
Input high voltage
VIH
K6X8008T2B Family
Input low voltage
VIL
K6X8008T2B Family
Note:
1. Industrial Product: TA=-40 to 85°C, otherwise specified.
Automotive Product: TA=-40 to 125°C, otherwise specified.
2. Overshoot: VCC+3.0V in case of pulse width 30ns.
3. Undershoot: -3.0V in case of pulse width 30ns.
4. Overshoot and undershoot are sampled, not 100% tested.
CAPACITANCE1) (f=1MHz, TA=25°C)
Item
Input capacitance
Input/Output capacitance
1. Capacitance is sampled, not 100% tested.
Symbol
CIN
CIO
Test Condition
VIN=0V
VIO=0V
Min
2.7
0
2.2
-0.33)
Typ Max
3.0/3.3
3.6
00
- Vcc+0.32)
- 0.6
Unit
V
V
V
V
Min Max Unit
- 8 pF
- 10 pF
DC AND OPERATING CHARACTERISTICS
Item
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
Input leakage current
ILI VIN=Vss to Vcc
-1 - 1 µA
Output leakage current
ILO CS1=VIH, CS2=VIL or OE=VIH or WE=VIL, VIO=Vss to Vcc
-1 - 1 µA
ICC1
Cycle time=1µs, 100%duty, IIO=0mA, CS10.2V, CS2Vcc-0.2V,
VIN0.2V or VINVcc-0.2V
Average operating current
ICC2 Cycle time=Min, IIO=0mA, 100% duty, CS1=VIL, CS2=VIH,
VIN=VIL or VIH
- - 3 mA
- - 30 mA
Output low voltage
VOL IOL = 2.1mA
- - 0.4 V
Output high voltage
VOH IOH = -1.0mA
2.4 - - V
Standby Current(TTL)
ISB CS1=VIH, CS2=VIL, Other inputs=VIH or VIL
- - 0.4 mA
Standby Current(CMOS)
Other input =0~Vcc,
K6X8008T2B-F -
ISB1 1) CS1Vcc-0.2V, CS2Vcc-0.2V (CS1 controlled) or
2) 0VCS20.2V(CS2 controlled)
K6X8008T2B-Q -
- 15
µA
- 25
4 Revision 1.0
September 2003

4페이지










K6X8008T2B-F 전자부품, 판매, 대치품
K6X8008T2B Family
CMOS SRAM
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1) (WE Controlled)
Address
CS1
CS2
WE
Data in
Data out
tAS(3)
Data Undefined
tWC
tCW(2)
tWR(4)
tAW
tCW(2)
tWP(1)
tWHZ
tDW tDH
Data Valid
tOW
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2) (CS1 Controlled)
Address
CS1
tAS(3)
tWC
tCW(2)
tAW
tWR(4)
CS2
tWP(1)
WE
Data in
tDW tDH
Data Valid
Data out
High-Z
High-Z
7 Revision 1.0
September 2003

7페이지


구       성 총 9 페이지수
다운로드[ K6X8008T2B-F.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
K6X8008T2B-F

CMOS SRAM

Samsung semiconductor
Samsung semiconductor
K6X8008T2B-Q

CMOS SRAM

Samsung semiconductor
Samsung semiconductor

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵