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SMBT3906U PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 SMBT3906U
기능 PNP Silicon Switching Transistor Array
제조업체 Infineon Technologies AG
로고 Infineon Technologies AG 로고 


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SMBT3906U 데이터시트, 핀배열, 회로
SMBT3906U
PNP Silicon Switching Transistor Array
 High DC current gain: 0.1mA to 100mA
 Low collector-emitter saturation voltage
 Two ( galvanic) internal isolated Transistors
with good matching in one package
 Complementary type: SMBT3904U (NPN)
C1 B2 E2
654
4
5
6
3
2
1
VPW09197
TR2
TR1
Type
SMBT3906U
Marking
s2A
123
E1 B1 C2
EHA07175
Pin Configuration
Package
1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SC74
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Emitter-base voltage
DC collector current
Total power dissipation, TS = 105 °C
Junction temperature
Storage temperature
VCEO
VCBO
VEBO
IC
Ptot
Tj
Tstg
40
40
5
200
330
150
-65 ... 150
Thermal Resistance
Junction - soldering point1)
RthJS
135
1For calculation of RthJA please refer to Application Note Thermal Resistance
Unit
V
mA
mW
°C
K/W
1 Nov-30-2001




SMBT3906U pdf, 반도체, 판매, 대치품
Test circuit
Delay and rise time
-3.0 V
<1.0 ns
+0.5 V 10 k
0
300 ns
-10.6 V
D = 2%
275
C
<4.0 pF
EHN00059
Storage time and fall time
<1.0 ns
+9.1 V
0
-10.9 V
10 <t1< 500 µs
t 1 D = 2%
10 k
1N916
-3.0 V
275
C
<4.0 pF
EHN00060
SMBT3906U
4 Nov-30-2001

4페이지










SMBT3906U 전자부품, 판매, 대치품
SMBT3906U
Delay time td = f (IC)
Rise time tr = f (IC)
10 3
ns
tr ,td
10 2
tr
td
10 1
Storage time tstg = f(IC)
EHP00772
h FE = 10
VCC = 3 V
15 V
40 V
V BE = 2 V
0V
10 3
ns
ts
10 2
10 1
EHP00762
25 C
125 C
h FE= 20
10
h FE= 20
10
10 0
10 0
5 10 1
Fall time tf = f (IC)
5 10 2 mA 5 10 3
ΙC
10 0
10 0
5 10 1
Rise time tr = f (IC)
5 10 2
mA 10 3
ΙC
10 3
ns
tf
10 2
10 1
25 C
125 C
EHP00773
VCC = 40 V
h FE = 20
10 3
ns
tr
25 C
10 2 125 C
h FE = 10
10 1
EHP00764
VCC = 40 V
h FE = 10
10 0
10 0
5 10 1
5 10 2 mA 5 10 3
ΙC
10 0
10 0
7
5 10 1
5 10 2
mA 10 3
ΙC
Nov-30-2001

7페이지



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