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IRF044SMD 데이터시트 PDF




Seme LAB에서 제조한 전자 부품 IRF044SMD은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 IRF044SMD 자료 제공

부품번호 IRF044SMD 기능
기능 N-CHANNEL POWER MOSFET
제조업체 Seme LAB
로고 Seme LAB 로고


IRF044SMD 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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IRF044SMD 데이터시트, 핀배열, 회로
SEME
LAB
IRF044SMD
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
N–CHANNEL
POWER MOSFET
0 .8 9
(0 .0 3 5 )
3 .7 0 ( 0 .1 4 6 ) m in . 3 .7 0 ( 0 .1 4 6 )
3 .4 1 (0 .1 3 4 )
3 .4 1 (0 .1 3 4 )
13
3 .6 0 (0 .1 4 2 )
M ax.
VDSS
ID(cont)
RDS(on)
FEATURES
60V
34A
0.040W
2
9 .6 7 (0 .3 8 1 )
9 .3 8 (0 .3 6 9 )
1 1 .5 8 (0 .4 5 6 )
1 1 .2 8 (0 .4 4 4 )
0 .5 0 (0 .0 2 0 )
0 .2 6 (0 .0 1 0 )
SMD1 – Surface Mount Package
• HERMETICALLY SEALED SURFACE
MOUNT PACKAGE
• SMALL FOOTPRINT – EFFICIENT USE OF
PCB SPACE.
• SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS
• LIGHTWEIGHT
• HIGH PACKING DENSITIES
Pad 1 – Gate
Pad 2 – Drain Pad 3 – Source
Note: IRFNxxx also available with
pins 1 and 3 reversed.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C unless otherwise stated)
VGS Gate – Source Voltage
±20V
ID Continuous Drain Current (VGS = 0 , Tcase = 25°C)
34A
ID Continuous Drain Current (VGS = 0 , Tcase = 100°C)
IDM Pulsed Drain Current 1
21A
136A
PD Power Dissipation @ Tcase = 25°C
75W
Linear Derating Factor
0.6W/°C
EAS
dv/dt
Single Pulse Avalanche Energy 2
Peak Diode Recovery 3
340mJ
4.5V/ns
TJ , Tstg
TL
RqJC
RqJ–PCB
Operating and Storage Temperature Range
Package Mounting Surface Temperature (for 5 sec)
Thermal Resistance Junction to Case
Thermal Resistance Junction to PCB (Typical)
–55 to 150°C
300°C
1.67°C/W
4°C/W
Notes
1) Pulse Test: Pulse Width £ 300ms, d £ 2%
2) @ VDD = 25V , L ³ 0.3mH , RG = 25W , Peak IL = 34A , Starting TJ = 25°C
3) @ ISD £ 34A , di/dt £ 100A/ms , VDD £ BVDSS , TJ £ 150°C , SUGGESTED RG = 9.1W
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail: [email protected] Website: http://www.semelab.co.uk
Prelim. 7/00





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