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부품번호 | IRF150 기능 |
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기능 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ||
제조업체 | Seme LAB | ||
로고 | |||
전체 2 페이지수
IRF150
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
39.95 (1.573)
max.
30.40 (1.197)
30.15 (1.187)
17.15 (0.675)
16.64 (0.655)
4.09 (0.161)
3.84 (0.151)
dia.
2 plcs.
2
1
20.32 (0.800)
18.80 (0.740)
dia.
1.57 (0.062)
1.47 (0.058)
dia.
2 plcs.
TO–3 Metal Package
Pin 1 – Gate
Pin 2 – Source
Case – Drain
N–CHANNEL
POWER MOSFET
VDSS
ID(cont)
RDS(on)
100V
38A
0.055Ω
FEATURES
• HERMETICALLY SEALED TO–3 METAL
PACKAGE
• SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS
• SCREENING OPTIONS AVAILABLE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C unless otherwise stated)
VGS Gate – Source Voltage
±20V
ID
Continuous Drain Current
(VGS = 0 , Tcase = 25°C)
38A
ID
Continuous Drain Current
(VGS = 0 , Tcase = 100°C)
24A
IDM Pulsed Drain Current 1
152A
PD Power Dissipation @ Tcase = 25°C
150W
Linear Derating Factor
1.2W/°C
EAS
IAR
EAR
dv/dt
Single Pulse Avalanche Energy 2
Avalanche Current 2
Repetitive Avalanche Energy 2
Peak Diode Recovery 3
150mJ
38A
15mJ
5.5V/ns
TJ , Tstg
TL
Operating and Storage Temperature Range
Lead Temperature 1.6mm (0.63”) from case for 10 sec.
-55 to +150°C
300°C
Notes
1) Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, δ ≤ 2%
2) @ VDD = 50V , L ≥ 160µH , RG = 25Ω , Peak IL = 38A , Starting TJ = 25°C
3) @ ISD ≤ 38A , di/dt ≤ 300A/µs , VDD ≤ BVDSS , TJ ≤ 150°C , Suggested RG = 2.35Ω
Semelab plc. Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.
Prelim. 9/96
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
IRF150 | N-CHANNEL POWER MOSFETS | Samsung semiconductor |
IRF150 | N-CHANNEL POWER MOSFET | Seme LAB |
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