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부품번호 | IRF730 기능 |
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기능 | N - CHANNEL 400V - 0.75 ohm - 5.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET | ||
제조업체 | STMicroelectronics | ||
로고 | |||
전체 8 페이지수
® IRF730
N - CHANNEL 400V - 0.75 Ω - 5.5A - TO-220
PowerMESH™ MOSFET
TYPE
V DSS
RDS(on)
ID
IRF730
400 V
<1Ω
5.5 A
s TYPICAL RDS(on) = 0.75 Ω
s EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
s 100% AVALANCHE TESTED
s VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
s GATE CHARGE MINIMIZED
DESCRIPTION
This power MOSFET is designed using the
company’s consolidated strip layout-based MESH
OVERLAY™ process. This technology matches
and improves the performances compared with
standard parts from various sources.
APPLICATIONS
s HIGH CURRENT SWITCHING
s UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)
s DC/DC COVERTERS FOR TELECOM,
INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT.
3
2
1
TO-220
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
VDS Drain-source Voltage (VGS = 0)
400
VDGR
VGS
ID
ID
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC
400
± 20
5.5
3.5
IDM ( •)
Ptot
Drain Current (pulsed)
Tot al Dissipation at Tc = 25 oC
22
100
Derating Factor
0.8
dv/dt(1) Peak Diode Recovery voltage slope
4.0
Tstg Storage Temperature
-65 to 150
Tj Max. Operating Junction Temperature
150
(•) Pulse width limited by safe operating area
(1) ISD ≤5.5 A, di/dt ≤ 90 Α/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX
First Digit of the Datecode Being Z or K Identifies Silicon Characterized in this Datasheet
August 1998
Uni t
V
V
V
A
A
A
W
W/oC
V/ ns
oC
oC
1/8
IRF730
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Transconductance
Static Drain-source On Resistance
Gate Charge vs Gate-source Voltage
Capacitance Variations
4/8
4페이지 DIM.
A
C
D
D1
E
F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
DIA.
MIN.
4.40
1.23
2.40
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.4
10.0
13.0
2.65
15.25
6.2
3.5
3.75
TO-220 MECHANICAL DATA
mm
TYP.
1.27
16.4
MAX.
4.60
1.32
2.72
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.7
10.40
14.0
2.95
15.75
6.6
3.93
3.85
MIN.
0.173
0.048
0.094
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.393
0.511
0.104
0.600
0.244
0.137
0.147
inch
TYP.
0.050
0.645
IRF730
MAX.
0.181
0.051
0.107
0.027
0.034
0.067
0.067
0.203
0.106
0.409
0.551
0.116
0.620
0.260
0.154
0.151
L2
Dia.
L5
L7
L6
L9
L4
P011C
7/8
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
IRF730 | PowerMOS transistor Avalanche energy rated | NXP Semiconductors |
IRF730 | N - CHANNEL 400V - 0.75 ohm - 5.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET | STMicroelectronics |
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