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XP1601 데이터시트 PDF




Panasonic Semiconductor에서 제조한 전자 부품 XP1601은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 XP1601 자료 제공

부품번호 XP1601 기능
기능 Silicon PNP(PNP) epitaxial planer transistor
제조업체 Panasonic Semiconductor
로고 Panasonic Semiconductor 로고


XP1601 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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XP1601 데이터시트, 핀배열, 회로
Composite Transistors
XP1601
Silicon PNP epitaxial planer transistor (Tr1)
Silicon NPN epitaxial planer transistor (Tr2)
For general amplification
s Features
q Two elements incorporated into one package.
(Emitter-coupled transistors)
q Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.
2.1±0.1
0.425 1.25±0.1 0.425
15
2
34
Unit: mm
s Basic Part Number of Element
q 2SB709A+2SD601A
s Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)
Parameter
Symbol
Ratings
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Tr1 Emitter to base voltage
Collector current
Peak collector current
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Tr2 Emitter to base voltage
Collector current
Peak collector current
Total power dissipation
Overall Junction temperature
Storage temperature
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PT
Tj
Tstg
–60
–50
–7
–100
–200
60
50
7
100
200
150
150
–55 to +150
Unit
V
V
V
mA
mA
V
V
V
mA
mA
mW
˚C
˚C
0.2±0.1
1 : Base (Tr1)
2 : Emitter
3 : Base (Tr2)
4 : Collector (Tr2)
5 : Collector (Tr1)
EIAJ : SC–88A
S–Mini Type Package (5–pin)
Marking Symbol: 7S
Internal Connection
Tr1
1
5
2
34
Tr2
1




XP1601 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Composite Transistors
160
VCB=–10V
Ta=25˚C
140
fT — IE
120
100
80
60
40
20
0
0.1 0.3 1 3 10 30 100
Emitter current IE (mA)
Cob — VCB
8
f=1MHz
7
IE=0
Ta=25˚C
6
5
4
3
2
1
0
–1 –2 –3 –5 –10 –20 –30 –50 –100
Collector to base voltage VCB (V)
20 VCB=–5V
18
Rg=50k
Ta=25˚C
16
NF — IE
14
12 f=100Hz
10
8 1kHz
6 10kHz
4
2
0
0.1 0.2 0.3 0.5 1
23 5
Emitter current IE (mA)
10
h Parameter — IE
300
200
hfe
100
50
30 hoe (µS)
20
10
5
hie (k)
3
2
VCE= – 5V
f=270Hz
hre (×10–4)
Ta=25˚C
1
0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10
Emitter current IE (mA)
Characteristics charts of Tr2
IC — VCE
60
Ta=25˚C
IB=160µA
50
140µA
40 120µA
100µA
30
80µA
20 60µA
40µA
10
20µA
0
0 2 4 6 8 10
Collector to emitter voltage VCE (V)
1200
1000
IB — VBE
VCE=10V
Ta=25˚C
800
600
400
200
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
Base to emitter voltage VBE (V)
XP1601
NF — IE
6
VCB=–5V
f=1kHz
5 Rg=2k
Ta=25˚C
4
3
2
1
0
0.01 0.03 0.1 0.3 1 3
Emitter current IE (mA)
10
h Parameter — VCE
300 IE=2mA
200 f=270Hz
hfe Ta=25˚C
100
50
30
20
hoe (µS)
10
5
3 hre (×10–4)
2
hie (k)
1
0.1 0.2 0.3 0.5 1
2 3 5 10
Collector to emitter voltage VCE (V)
IC — VBE
240
VCE=10V
200
160
25˚C
120
Ta=75˚C
80
– 25˚C
40
0
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
Base to emitter voltage VBE (V)
4

4페이지












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