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Z0103MA 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 Z0103MA은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 Z0103MA 자료 제공

부품번호 Z0103MA 기능
기능 4Q Triac
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


Z0103MA 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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Z0103MA 데이터시트, 핀배열, 회로
Z0103MA
4Q Triac
6 May 2015
Product data sheet
1. General description
Planar passivated very sensitive gate four quadrant triac in a SOT54 (TO-92) plastic
package intended for use in applications requiring direct interfacing to logic ICs and low
power gate drivers.
2. Features and benefits
Direct interfacing to logic level ICs
Direct interfacing to low power gate drive circuits
High blocking voltage capability
Planar passivated for voltage ruggedness and reliability
Triggering in all four quadrants
Very sensitive gate in four quadrants
3. Applications
General purpose low power motor control
Home appliances
Industrial process control
Low power AC Fan controllers
4. Quick reference data
Table 1. Quick reference data
Symbol
Parameter
Conditions
VDRM
repetitive peak off-
state voltage
ITSM non-repetitive peak on- full sine wave; Tj(init) = 25 °C;
state current
tp = 20 ms; Fig. 4; Fig. 5
IT(RMS)
RMS on-state current full sine wave; Tlead ≤ 45 °C; Fig. 1;
Fig. 2; Fig. 3
Static characteristics
IGT
gate trigger current
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G+;
Tj = 25 °C; Fig. 7
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G-;
Tj = 25 °C; Fig. 7
Min Typ Max Unit
- - 600 V
- - 8A
- - 1A
- - 3 mA
- - 3 mA
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Z0103MA pdf, 반도체, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
Z0103MA
4Q Triac
2 .0
Ptot
(W)
1 .6
1 .2
conduction
angle, α
(degrees)
30
60
90
120
180
form
factor
a
2.816
1.967
1.570
1.329
1.110
0 .8
0 .4
α
α
003aac259
α = 180°
120°
9 0°
6 0°
30°
0 .0
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
Fig. 3.
alpha = conduction angle
a = form factor = IT(RMS) / IT(AV)
Total power dissipation as a function of RMS on-state current; maximum values
10
ITSM
(A)
8
1 .2
IT(RMS ) (A)
003aad318
6
4
IT ITSM
2t
1/f
Tj(init) = 25 °C max
0
1
10 102 103
number of cycles
f = 50 Hz
Fig. 4. Non-repetitive peak on-state current as a function of the number of sinusoidal current cycles; maximum
values
Z0103MA
Product data sheet
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6 May 2015
© NXP Semiconductors N.V. 2015. All rights reserved
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Z0103MA 전자부품, 판매, 대치품
NXP Semiconductors
9. Characteristics
Table 6. Characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Static characteristics
IGT
gate trigger current
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G+;
Tj = 25 °C; Fig. 7
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G-;
Tj = 25 °C; Fig. 7
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2- G-;
Tj = 25 °C; Fig. 7
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2- G+;
Tj = 25 °C; Fig. 7
IL
latching current
VD = 12 V; IG = 0.1 A; T2+ G+;
Tj = 25 °C; Fig. 8
VD = 12 V; IG = 0.1 A; T2+ G-;
Tj = 25 °C; Fig. 8
VD = 12 V; IG = 0.1 A; T2- G-;
Tj = 25 °C; Fig. 8
VD = 12 V; IG = 0.1 A; T2- G+;
Tj = 25 °C; Fig. 8
IH
holding current
VD = 12 V; Tj = 25 °C; Fig. 9
VT
on-state voltage
IT = 1.4 A; Tj = 25 °C; Fig. 10
VGT
gate trigger voltage
VD = 12 V; IT = 0.1 A; Tj = 25 °C;
Fig. 11
VD = 600 V; IT = 0.1 A; Tj = 125 °C;
Fig. 11
ID
off-state current
VD = 600 V; Tj = 125 °C
Dynamic characteristics
dVD/dt
rate of rise of off-state
voltage
VDM = 402 V; Tj = 110 °C; (VDM = 67%
of VDRM); exponential waveform; gate
open circuit; Fig. 12
dVcom/dt
rate of change of
commutating voltage
VD = 400 V; Tj = 110 °C; dIcom/
dt = 0.44 A/ms; IT = 1 A; gate open
circuit
Z0103MA
4Q Triac
Min Typ Max Unit
- - 3 mA
- - 3 mA
- - 3 mA
- - 5 mA
- - 7 mA
- - 15 mA
- - 7 mA
- - 7 mA
- - 7 mA
- 1.3 1.6 V
- - 1V
0.2 - - V
- - 0.5 mA
10 - - V/µs
0.5 - - V/µs
Z0103MA
Product data sheet
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
6 May 2015
© NXP Semiconductors N.V. 2015. All rights reserved
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