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Z0410NF 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 Z0410NF은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 Z0410NF 자료 제공

부품번호 Z0410NF 기능
기능 4A TRIACS
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


Z0410NF 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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Z0410NF 데이터시트, 핀배열, 회로
®
STANDARD
MAIN FEATURES:
Symbol
IT(RMS)
VDRM/VRRM
IGT (Q1)
Value
4
600 to 800
3 to 25
Unit
A
V
mA
DESCRIPTION
The Z04 series is suitable for general purpose AC
switching applications. They can be found in
applications such as touch light dimmers, fan
controllers, HID lamp ignitors,...
Different gate current sensitivities are available,
allowing optimized performances when controlled
directly from microcontrollers.
Z04 Series
4A TRIACS
A2
G
A1
A1
A2
G
TO202-3
(Z04xxF)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
IT(RMS)
ITSM
I²t
dI/dt
IGM
PG(AV)
Tstg
Tj
Parameter
RMS on-state current (full sine wave)
Non repetitive surge peak on-state
current (full cycle, Tj initial = 25°C)
I²t Value for fusing
Critical rate of rise of on-state current
IG = 2 x IGT , tr 100 ns
Peak gate current
TI = 30°C
F = 50 Hz
Tamb = 25°C
t = 20 ms
F = 60 Hz
t = 16.7 ms
tp = 10 ms
F = 120 Hz
Tj = 125°C
tp = 20 µs
Tj = 125°C
Average gate power dissipation
Tj = 125°C
Storage junction temperature range
Operating junction temperature range
Value
4
1
20
21
2.2
20
1.2
0.2
- 40 to + 150
- 40 to + 125
Unit
A
A
A²s
A/µs
A
W
°C
October 2001 - Ed: 4
1/6




Z0410NF pdf, 반도체, 판매, 대치품
Z04 Series
Fig. 1: Maximum power dissipation versus RMS
on-state current (full cycle).
P(W)
7
6
5
4
3
2
1 IT(RMS)(A)
0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
Fig. 2: RMS on-state current versus ambient
temperature (full cycle).
IT(RMS)(A)
4.5
4.0
Rth(j-a)=Rth(j-l)
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
25
Rth(j-a)=100°C/W
Tamb(°C)
50
75
100 125
Fig. 3: Relative variation of thermal impedance
junction to ambient versus pulse duration.
K=[Zth(j-a)/Rth(j-a)]
1E+0
1E-1
1E-2
1E-3
1E-3
1E-2
tp(s)
1E-1 1E+0
1E+1
1E+2 5E+2
Fig. 4: Relative variation of gate trigger current,
holding current and latching current versus
junction temperature (typical values).
IGT,IH,IL [Tj] / IGT,IH,IL [Tj=25°C]
2.5
2.0 IGT
1.5
IH & IL
1.0
0.5
Tj(°C)
0.0
-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
Fig. 5: Surge peak on-state current versus
number of cycles.
Fig. 6: Non-repetitive surge peak on-state
current for a sinusoidal pulse with width
tp < 10ms, and corresponding value of I²t.
ITSM(A)
25
20
15
10
5
0
1
Non repetitive
Tj initial=25°C
Repetitive
Tamb=25°C
Number of cycles
10 100
t=20ms
One cycle
1000
ITSM (A), I²t (A²s)
500
100
dI/dt limitation:
20A/µs
10
1
0.01
tp (ms)
0.10 1.00
Tj initial=25°C
ITSM
I²t
10.00
4/6

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